CP、FT、WAT

CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗封裝的良率。 現(xiàn)在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。 CP對整片Wafer的每個Die來測試 而FT則對封裝好的Chip來測試。 CP Pass 才會去封裝。

然后FT，確保封裝后也Pass。

WAT是Wafer Acceptance Test，對專門的測試圖形(test key)的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定； CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal(if need)，對一些基本器件參數(shù)的測試，如vt(閾值電壓)，Rdson(導(dǎo)通電阻)，BVdss(源漏擊穿電壓)，Igss(柵源漏電流)，Idss(漏源漏電流)等，一般測試機臺的電壓和功率不會很高； FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個(CP passed)IC或Device芯片應(yīng)用方面的測試，有些甚至是待機測試；

Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual CP 測試對Memory來說還有一個非常重要的作用，那就是通過MRA計算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

CP是對wafer進(jìn)行測試，檢查fab廠制造的工藝水平 FT是對package進(jìn)行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平 對于測試項來說，有些測試項在CP時會進(jìn)行測試，在FT時就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時間；但是有些測試項必須在FT時才進(jìn)行測試(不同的設(shè)計公司會有不同的要求) 一般來說，CP測試的項目比較多，比較全；FT測的項目比較少，但都是關(guān)鍵項目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了)。 在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。

FT相對來說簡單一點。還有一點，memory測試的CP會更難，因為要做redundancy analysis，寫程序很麻煩。

CP在整個制程中算是半成品測試，目的有2個，1個是監(jiān)控前道工藝良率，另一個是降低后道成本(避免封裝過多的壞芯片)，其能夠測試的項比FT要少些。最簡單的一個例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的(探針容許的電流有限)，這項只能在封裝后的FT測。不過許多項CP測試后FT的時候就可以免掉不測了(可以提高效率)，所以有時會覺得FT的測試項比CP少很多。 應(yīng)該說WAT的測試項和CP/FT是不同的。

CP不是制造(FAB)測的！ 而CP的項目是從屬于FT的(也就是說CP測的只會比FT少)，項目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；因為封裝都會導(dǎo)致參數(shù)漂移，所以CP測試SPEC收的要比FT更緊以確保最終成品FT良率。還有相當(dāng)多的DH把wafer做成幾個系列通用的die，在CP是通過trimming來定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節(jié)省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才會盲封的。

據(jù)我所知盲封的DH很少很少，風(fēng)險實在太大，不容易受控。

WAT：wafer level 的管芯或結(jié)構(gòu)測試

CP：wafer level 的電路測試含功能

FT：device level 的電路測試含功能 CP=chip probing FT=Final Test CP 一般是在測試晶圓，封裝之前看，封裝后都要FT的。不過bump wafer是在裝上錫球，probing后就沒有FT FT是在封裝之后，也叫“終測”。意思是說測試完這道就直接賣去做application。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket CP比較常見的是room temperature=25度，FT可能一般就是75或90度 CP沒有QA buy-off(質(zhì)量認(rèn)證、驗收)，FT有 CP兩方面

1.監(jiān)控工藝，所以呢，覺得probe實際屬于FAB范疇

2.控制成本。Financial fate。我們知道FT封裝和測試成本是芯片成本中比較大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修復(fù)，最有利于控制成本

FT: 終測通常是測試項最多的測試了，有些客戶還要求3溫測試，成本也最大。 至于測試項呢，

1.如果測試時間很長，CP和FT又都可以測，像trim項，加在probe能顯著降低時間成本，當(dāng)然也要看客戶要求。

2.關(guān)于大電流測試呢，FT多些，但是我在probe也測過十幾安培的功率mosfet，一個PAD上十多個needle。

3.有些PAD會封裝到device內(nèi)部，在FT是看不到的，所以有些測試項只能在CP直接測，像功率管的GATE端漏電流測試Igss CP測試主要是挑壞die，修補die，然后保證die在基本的spec內(nèi)，function well。 FT測試主要是package完成后，保證die在嚴(yán)格的spec內(nèi)能夠function。 CP的難點在于，如何在最短的時間內(nèi)挑出壞die，修補die。 FT的難點在于，如何在最短的時間內(nèi)，保證出廠的Unit能夠完成全部的Function。

總結(jié)

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