电容屏物体识别_兆易创新的传感器布局:电容/光学/超声指纹/ToF全面发力
作為國內知名的NOR Flash及MCU廠商,2019年兆易創新成功并購國內第二大的指紋識別芯片廠商思立微,成立傳感器事業部。
除了原有的電容式觸控芯片、電容指紋芯片、OLED屏下光學指紋芯片之外,兆易創新還在去年推出了TFT大面積屏下指紋識別芯片(待量產)以及第一顆一體式MEMS超聲波指紋芯片(待量產),今年還推出了第一顆特殊工藝的ToF芯片。
目前兆易創新是國內僅有的兩家可量產供貨光學指紋芯片的企業之一,同時觸控和指紋產品也廣泛應用于國內外知名的移動終端廠商,也是全球唯一能提供包括電容、光學、大面積、超聲等最全指紋方案的供應商。
TFT大面積屏下指紋識別芯片GSL7253
據介紹,兆易創新所推出的大面積TFT屏下指紋傳感器GSL7253,面積為30mm*20mm,具有高QE 80%,超薄(厚度僅0.3mm),COG封裝工藝,支持任意位置解鎖,盲解,支持雙指/多指紋解鎖。
兆易創新傳感器事業部ToF市場總監劉浩雷在芯智訊主辦的“2020第四屆生物識別技術與應用高峰論壇”上表示,大面積TFT屏下指紋的多指采集/識別特性非常適合用于機場、車站、海關等高安全等級較高的場景。未來兆易創新還將會推出更大面積的TFT指紋芯片,積極布局大面積指紋識別上和未來的掌紋識別。
△兆易創新傳感器事業部ToF市場總監劉浩雷
從兆易創新公布的指紋產品路線圖可以看到,兆易創新目前已經開始在開發第二代TFT大面積屏下指紋芯片,面積進一步增加到了 30mm*23mm/28mm*25mm,工藝也升級到了COF。2021年還將會推出第三代的產品。
一體式MEMS超聲波指紋芯片GSL8165
相對于光學屏下指紋和電容指紋來說,超聲波指紋擁有更強的穿透力,可以穿透OLED屏、玻璃、金屬、塑料,可以穿透識別油污和濕手指,這也使得廠商可以做一些隱藏式的指紋識別,比如放在金屬之下,或者玻璃蓋板下,這樣就可以兼顧整個工業設計的美觀。同時,超聲波可以穿透表皮,直達真皮層,安全性更高。
劉浩雷表示,兆易創新的超聲波指紋芯片,基于CMOS工藝獨創單硅片MEMS結構,結構簡單、便于工藝實現;并采用了Beam-forming多點同時發送聚焦的技術,進一步增加了超聲波的穿透能力,使得識別性能更好。同時,系統算法層面利用邊緣AI、神經網絡計算,進一步提升其安全性。
△兆易創新在現場展示的超聲波屏下指紋樣機
ToF芯片
自從2017年蘋果推出了基于結構光技術的iPhone X,使用3D人臉識別FaceID代替了指紋識別TouchID,3D視覺市場便得到了快速的發展。隨后眾多的安卓旗艦也開始跟進采用結構光技術來實現3D人臉識別。
不過,由于結構光更適用于近距離的的3D識別,智能手機應用限于前置解鎖、支付以及3D表情等。相比之下,ToF 3D技術則可以適用于中遠距離,應用包含 3D 人臉識別、3D 建模以及手勢識別、體感游戲、AR/VR 在內的更多場景中,并且模組復雜度低,更小巧,易于集成,成為安卓旗艦手機的后置3D鏡頭首選。前攝應用比例也越來越高,并且有望實現屏下部署。
值得注意的是,今年蘋果iPad、iPhone 12 Pro系列又采用了基于ToF技術的激光雷達掃描儀,使得整個3D視覺市場又迎來了新一輪的爆發。不過,蘋果采用的并不是當下主流的iToF技術,而是采用的dToF技術。
所謂iToF,是通過發射特定頻率的調制光,檢測反射調制光和發射的調制光之間的相位差,測量飛行時間,從而實現對于深度信息的感知。dToF的原理則為向被測物體發射光脈沖,通過對反射和發射光脈沖時間間隔的測量,直接計算待測物體的深度。
從兩種技術的優缺點上來看,dToF直接測量飛行時間,具備低功耗、抗干擾等優勢,適用于對測距精度要求高的較遠距離測距場景,因為其測量精度不會因距離增大而降低。iToF 間接測量飛行時間,具備低成本、較高分辨率優勢,適用于中遠距離測距。
那么對于iToF和dToF兩種技術未來的發展,兆易創新是如何看待的呢?
對此,劉浩雷告訴芯智訊:“在我們來看,iToF和dToF本身是各有特點,一段時間內iToF和dToF會并行。以手機為例,iToF的分辨率比較高,適合前攝,人臉解鎖、支付。dToF的優點在于距離、測量精度在工作范圍內相對固定,更適合遠距離場景。dToF的低分辨率、產業鏈、工藝成熟度及成本都需要提升,有很大成長空間。在較長周期內iToF和dToF存在于各自的重要市場。”
此外,在創新工藝方面,兆易創新也有布局。劉浩雷介紹到,兆易創新在今年推出了第一顆特殊工藝的ToF芯片(QVGA分辨率),可以同時支持1350nm~1550nm長波段以及940波段光源,而1350nm~1550nm波段應用抗光性會更優,戶外表現更加出色。對人眼的安全性會更有保障。光電轉化效率在1350nm波段,光電轉換率可達50%;在940nm波段,光電轉換率可達65%,相比基于硅工藝的ToF芯片高出近一倍。
編輯:芯智訊-浪客劍
總結
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