內存(Memory)也稱內存儲器或主存儲器，與CPU進行高速的數據溝通，用于暫時存放CPU的運算數據。見上圖，內存緊挨CPU兩側布局，內存數量和容量根據系統需求和CPU能力決定，內存性能對服務器整體運行快慢起著至關重要的影響。

1.內存嚴格上來說應該稱為內存條(Memory Module)，由若干SDRAM(同步動態隨機存取存儲器)內存顆粒配合一塊長方形的帶金手指的印刷電路板(4/6層)組成。內存條上除了內存顆粒外，還可能有其它芯片，例如SPD(Serial Presence Detect)存儲芯片，RCD寄存時鐘驅動芯片(Registering Clock Driver)，DB數據緩存芯片(Data Buffer)，TS溫度傳感器(Thermal Sensor)等，根據內存條上包含的芯片種類，代表其不同的功能特點，分為以下三種：

2.服務器比消費類電子(Notebook，Desktop，All in One, Smart phone等)對內存有著更高的可靠性要求，最大的一點就是要支持ECC功能。目前出貨量產的服務器普通使用的內存均為DDR4，JEDEC(固態技術協會)于2012年9月發布DDR4 SDRAM標準(JESD79-4C),截止目前DDR4已經商用7年左右。如今隨著對內存帶寬有強烈需求的專業應用領域如云服務器、邊緣計算，人工智能，自動駕駛等應用場合的快速發展，驅動了DRAM內存市場向DDR5升級，JEDEC于2020年7月正式發布了DDR5 SDRAM標準(JESD79-5)的最終規范，各大服務器OEM/ODM正在處于DDR5的研發過程中，預計在2022年DDR5將開始大面積使用，到2025年DDR4將有可能徹底退出服務器市場。DDR4 VS?DDR5如下：

下圖為LRDIMM DDR4與DDR5示意圖對比：

3.?對于內存條module供電而言，DDR4到DDR5的供電變化非常大，DDR5內存條在DIMM上加入了PMIC電源管理IC(可參考Renesas P8900)，主要原因是大容量和高速度的DDR5顆粒對電源完整性提出了更高的要求,DDR5內存顆粒需要更加低的工作電壓，VDD/VDDQ/VPP分別為：1.1/1.1/1.8(V), JEDEC要求DDR5的VDDQ電壓波動范圍允許值不高于3%，小于正負33mV，如果用主板上的VR出1.1V給DDR5供電，很難滿足該電壓的波動范圍。因此JEDEC建議廠商在內存條上集成電源IC滿足電源完整性的要求，當然無疑提高了DDR5內存的成本。

4. DDR4和DDR5內存條的供電規范如下：(目前市面存在的DIMM每根TDP約在6W-23W，TDC/Imax信息由系統放置的最終DIMM數量和規格來決定，而DIMM配置數量則由CPU可支持的通道數，每通道放置的DIMM數量即1DPC/2DPC決定，進而才可以確定供電方案)

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總結

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