記錄一下DRAM的各項(xiàng)基本參數(shù)

• tCL CAS Latency CAS 潛伏期， 列地址尋找/讀寫命令執(zhí)行完畢，準(zhǔn)備要讀出來，需要一個(gè)延時(shí)緩一緩

• tRAS: RAS Active Timeing 行有效到預(yù)充電的最短周期

• tRP ROW Precharge timing 預(yù)充電有效周期

• tRCD 行尋址到列尋址之間的時(shí)間間隔周期

• tWR 寫恢復(fù)時(shí)間

• tRFC 行刷新時(shí)間

• tWRTR 寫到讀的延時(shí)時(shí)間

• tRRD 行訪問到行訪問的時(shí)間

• tRTP 讀到預(yù)充電的時(shí)間

• tFAW DRAM Four Active window 定義了同一bank 中允許同時(shí)發(fā)送行激活命令的時(shí)間間隔，最小值不應(yīng)小于tRRD 的四倍，DDR3的 tRRD的最小值是4T， 因此tFAW 的最小值是16T

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的DRAM 各项基本参数记录的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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