記錄一下DRAM的各項基本參數

• tCL CAS Latency CAS 潛伏期， 列地址尋找/讀寫命令執行完畢，準備要讀出來，需要一個延時緩一緩

• tRAS: RAS Active Timeing 行有效到預充電的最短周期

• tRP ROW Precharge timing 預充電有效周期

• tRCD 行尋址到列尋址之間的時間間隔周期

• tWR 寫恢復時間

• tRFC 行刷新時間

• tWRTR 寫到讀的延時時間

• tRRD 行訪問到行訪問的時間

• tRTP 讀到預充電的時間

• tFAW DRAM Four Active window 定義了同一bank 中允許同時發送行激活命令的時間間隔，最小值不應小于tRRD 的四倍，DDR3的 tRRD的最小值是4T， 因此tFAW 的最小值是16T

轉載于:https://www.cnblogs.com/chenfulin5/p/6639780.html

總結

以上是生活随笔為你收集整理的DRAM 各项基本参数记录的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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