隨機存取存儲器(RAM)

重點:物理層面(芯片的角度)的地址。

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DRAM的特點：由電容構成(電容只要有回路，就有泄漏想象，漏電，所以信息不穩定)

主要特點：

需要定時刷新：定時對存儲元進行讀或寫操作(電容充電、放電)-頻率很高。(如今的內存條都是DRAM的)

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SRAM(靜態隨機存取存儲器)：由雙穩態電路構成，存儲信息穩定

示例芯片：SRAM?6264

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SRAM?6264：

容量：8K*8b(8K:指芯片上有8K個單元。8b指一字節)

主要引線：

地址線：A0~A12(address)--2^13=8K

數據線：D0~D7(data)

輸出允許信號：#OE(#指低電平有效)

寫允許信號：#WE

片選信號：#CS1,CS2(只有#CS1和CS都有效時，芯片才被激活)

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6264芯片與系統的連接

存儲器芯片與系統的連接分為兩部分：

1.確定要訪問的存儲芯片

2.找到芯片后，尋找該芯片上訪問單元

注：用芯片的13位地址編碼A0~A12尋址片內的每個單元

譯碼電路設計

譯碼：將輸入的一個高位地址信號通過變換，產生一個有效的輸出信號，用于選中某一個存儲器芯片，從而確定了該存儲器芯片在內存中的地址范圍

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譯碼方式

全地址譯碼：用全部的高位地址信號作為譯碼信號，使得存儲器芯片的每一個單元都占據一個唯一的內存地址(無浪費任何地址單元，都被有效的利用在但線路設計復雜)

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例：已知某SRAM6264芯片在內存中的地址為：3E000H~3FFFFH。試畫出將該芯片連接到系統的譯碼電路。

設計步驟：

1.寫出地址范圍的二進制表示

2.確定各高位地址狀態

3.設計譯碼器。

思路：只要讓A13~A19用某個譯碼器讓其輸出為0

部分地址譯碼

用部分高位地址信號(不是全部)作為譯碼信號，使得被選中的存儲器芯片占有幾組不同地址范圍。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的微机个人笔记-随机存取存储器(RAM)的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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