? ? ?作為功率半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè),為進(jìn)一步降低產(chǎn)品導(dǎo)通電阻,豐富在電源領(lǐng)域的產(chǎn)品系列,華微電子CCT MOS產(chǎn)品正式發(fā)布,助力我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

? ? ?CCT MOS即場(chǎng)耦合溝槽MOSFET(Couple Charge Trench Metal-Oxide-Semiconductor Effect Transistor),為低壓TRENCH MOS的升級(jí)產(chǎn)品。CCT MOS在原理上利用電荷平衡效應(yīng)(chrange coupling effect);在結(jié)構(gòu)上采用屏蔽柵結(jié)構(gòu)(SGT),即在TRENCH MOS基礎(chǔ)上引入屏蔽柵結(jié)構(gòu)。通過結(jié)構(gòu)的改變,在相同耐壓下,有更低的導(dǎo)通電阻。也是由于此結(jié)構(gòu),屏蔽柵使米勒電容減小,開關(guān)速度提高。前者使靜態(tài)損耗降低,后者使動(dòng)態(tài)損耗降低,進(jìn)而總功耗更小。

? ? ?華微電子CCT MOS產(chǎn)品技術(shù)上,包括芯片設(shè)計(jì)、終端、單胞、TRENCH、SGT。

? ? ?利用CCT原理,采用深槽TRENCH結(jié)構(gòu),打破常規(guī)TRENCH結(jié)構(gòu)電壓和電阻的限制關(guān)系,相同電壓條件下具有更低的電阻;利用CCT原理,在深槽TRENCH結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上采用SGT結(jié)構(gòu),使得米勒電容減少,開關(guān)速度提高,使得開關(guān)損耗大大減少;終端采用TRENCH結(jié)構(gòu),終端具有橫向電場(chǎng),耐壓效果好,效率高,芯片面積更小。

? ? ?華微電子CCT MOSFET產(chǎn)品所有功率器件均為自主研發(fā)和生產(chǎn),產(chǎn)品電壓范圍為80V-150V,電流范圍為60A-150A;主要產(chǎn)品包括TO-220、TO-220HF、TO-263、DPAK、IPAK、PDFN5*6、SOP-B等。

? ? ?其中華微電子80V-100V CCT MOS產(chǎn)品具備如下特點(diǎn):低柵極電荷、低RDSON;低功耗、高效率;良好的溫度特性;高抗DV/dt能力;開關(guān)速度快?？蓱?yīng)用于電源、電動(dòng)車控制器、BMS等領(lǐng)域。

? ? ?吉林華微電子股份有限公司是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營(yíng)銷為一體的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè),公司經(jīng)科技部、中科院等國家機(jī)構(gòu)認(rèn)證,被列為國家博士后科研工作站、國家創(chuàng)新型企業(yè)、國家企業(yè)技術(shù)中心、CNAS國家認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室。

? ? ?公司總資產(chǎn)近55.73億元,員工2000余人,技術(shù)人員占公司總?cè)藬?shù)的30%以上,占地面積40萬平方米,建筑面積13.5萬平方米,凈化面積17000平方米,主要凈化級(jí)別為0.3微米百級(jí)。公司于 2001 年3月在上海證券交易所上市,為國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首家上市公司。

? ??華微電子緊隨市場(chǎng)發(fā)展,將積累多年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)厚積薄發(fā),引領(lǐng)技術(shù)前沿,開拓新興領(lǐng)域。公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線,芯片加工能力為每年500萬片,封裝資源為每年24億只,模塊每年1800萬塊。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的推动半导体产业发展，华微电子CCT MOS产品发布的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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