(计算机组成原理)第三章存储系统-第五节1:双端口RAM和多模块存储器
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(计算机组成原理)第三章存储系统-第五节1:双端口RAM和多模块存储器
小編覺(jué)得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.
文章目錄
- 一:雙端口RAM
- 二:多模塊存儲(chǔ)器-多體并行
- (1)高位交叉編址
- (2)低位交叉編址
前面我們說(shuō)到了存取周期的概念,存取周期是指可以連續(xù)讀寫(xiě)的最短時(shí)間間隔。DRAM芯片,其恢復(fù)時(shí)間是比較長(zhǎng)的,有可能會(huì)到達(dá)存取周期的幾倍。
現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的CPU通常都是多核的,那么如果此時(shí)多核CPU都要訪問(wèn)主存,是不是必須要等待芯片恢復(fù)后才能讀取呢,如果主存恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)又該怎么辦呢?
一:雙端口RAM
該項(xiàng)技術(shù)可以?xún)?yōu)化多核CPU訪問(wèn)一根內(nèi)存條的速度
雙端口RAM是指同一個(gè)存儲(chǔ)器有左右兩個(gè)獨(dú)立的端口,分別具有兩組相互獨(dú)立的地址線、數(shù)據(jù)線和讀寫(xiě)控制線,允許兩個(gè)獨(dú)立的控制器同時(shí)異步地訪問(wèn)存儲(chǔ)單元
總結(jié)
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