存储器总述
2018-1-2
1.存儲系統
存儲器系統可分為兩個層次
(1)緩存–主存:解決速度問題,數據調動由硬件自動完成,對程序員透明。
(2)主存–輔存:解決容量問題,數據調動由硬件和操作系統共同完成。
2.主存儲器
(1)驅動器,譯碼器和讀/寫電路均制作在存儲芯片里,MAR,MDR制作在CPU芯片內。存儲芯片與CPU芯片通過總線連接。
(2)半導體存儲芯片:RAM與ROM
RAM在程序運行過程中可讀可寫,故一般用于存放 用戶程序。
RAM按照電路結構和存儲原理:靜態RAM與動態RAM。
靜態RAM:觸發器工作原理,廣泛用于高速緩沖存儲器(速度高,無需刷新)
動態RAM:電容存儲電荷的原理,由于電容存儲的電荷會自動消失,所以在2s內必須刷新一次。廣泛用于主存(集成度高,功耗小,價格便宜,隨著容量不斷擴大,速度不斷提高)
ROM在程序運行過程中只能讀出,故一般用于存放 系統程序。
ROM:可編程與不可編程。
(3)存儲器與CPU的連接:
地址線:通常將CPU地址線的低位與存儲芯片的地址線相連,高位或在存儲芯片擴充時使用,或作為片選信號。
數據線:必要時可以進行位擴展。
片選線:片選有效信號與CPU的訪存控制信號MREQ(應該是低電平有效)有關。
需要補充的一點是:按照存儲介質進行分類,可以分為:
(1)半導體存儲器:優點是體積小,功耗低,存儲時間短;缺點是當電源消失時,所存信息也隨即消失。
按照材料不同也可分為:雙極型(TTL)半導體存儲器與MOS半導體存儲器,前者速度快,功耗大,容量小,后者集成度高,制造簡單,成本低廉,功耗小,因而應用比較廣泛。
(2)磁性材料
(3)光盤
總結
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