NAND Flash

關(guān)于NAND Flash
S5PV210的NAND Flash控制器有如下特點(diǎn)：
1) 支持512byte,2k,4k,8k的頁(yè)大小
2) 通過(guò)各種軟件模式來(lái)進(jìn)行NAND Flash的讀寫擦除等
3) 8bit的總線
4) 支持SLC和MCL的NAND Flash
5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC
6) 支持以字節(jié)/半字/字為單位訪問(wèn)數(shù)據(jù)/ECC寄存器，以字為單位訪問(wèn)其他寄存器。
注意：在此使用的Mini210S的NAND Flash類型為SLC，大小為1G，型號(hào)為K9K8G08U0A。所以本章的內(nèi)容是針對(duì)SLC類型的NAND Flash(包括256M/512M/1GB等)，并不適用MLC類型的NAND Flash。

程序例子：（完整代碼見(jiàn)鏈接）
代碼多了nand.c這個(gè)文件，里面包含了對(duì)NAND Flash的相關(guān)操作。
/*nand.c*/
<1> NAND Flash初始化函數(shù)nand_init(),代碼如下
void nand_init(void)?
{?
// 1. 配置NAND Flash?
NFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<3)|(0<<2)|(1<<1)|(0<<0);?
NFCONT =(0<<18)|(0<<17)|(0<<16)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(0<<7)|(0<<6)|(0x3<<1)|(1<<0);?
// 2. 配置引腳?
MP0_1CON = 0x22333322;?
MP0_2CON = 0x00002222;?
MP0_3CON = 0x22222222;?
// 3. 復(fù)位?
nand_reset();
}?
共3個(gè)步驟：
第一步 配置NAND Flash
主要是設(shè)置NFCONF和NFCONT兩個(gè)寄存器

NFCONF寄存器

AddrCycle = 1，When page size is 2K or 4K, 1 = 5 address cycle，Mini210S的NAND Flash的頁(yè)大小為2k，所有是5個(gè)地址周期；?
PageSize = 0，When MLCFlash is 0, the value of PageSize is as follows: 0 = 2048 Bytes/page，Mini210S使用的是SLC NAND Flash且每頁(yè)大小為2k；?
MLCFlash = 0，在此使用的是SLC NAND Flash；?
TWRPH1/TWRPH0/TACLS是關(guān)于訪問(wèn)時(shí)序的設(shè)置，需對(duì)照NAND Flash芯片手冊(cè)設(shè)置，這里不再詳細(xì)解釋，分別取TWRPH1=1，TWRPH0=4，TACLS=1；?
ECCType0/MsgLength，我們的裸機(jī)代碼沒(méi)有使用到ECC，所有不用設(shè)置這兩個(gè)標(biāo)志。

MODE = 1，使能NAND Flash控制器；?
Reg_nCE0 = 1,取消片選，需要操作NAND Flash時(shí)再發(fā)片選；?
Reg_nCE1 = 1, 取消片選，需要操作NAND Flash時(shí)再發(fā)片選；?
InitMECC/InitSECC/SECCLock/MECCLock,我們的裸機(jī)代碼不涉及ECC，這4個(gè)標(biāo)志位隨便設(shè)置即可；
RnB_TransMode = 0，Detect rising edge，RnB是NAND Flash的狀態(tài)探測(cè)引腳，我們使用上升沿觸發(fā)；?
EnbRnBINT = 0 ，禁止RnB中斷；?
EnbIllegalAccINT = 0，禁止Illegal access 中斷 ；?
EnbMLCDecInt/EnbMLCEncInt為MCL相關(guān)，不用設(shè)置；?
LOCK = 0，我們沒(méi)有用到Soft Lock，所以禁止Soft Lock；?
LockTight = 0，我們沒(méi)有用到Lock-tight，所有禁止Lock-tight；?
MLCEccDirection，MLC相關(guān)，可不用設(shè)置
第二步 配置引腳
用于NAND Flash相關(guān)功能；
第三步 復(fù)位
復(fù)位函數(shù)nand_reset的相關(guān)代碼如下：?
static void nand_reset(void)?
{?
??? nand_select_chip();
??? nand_send_cmd(NAND_CMD_RES);?
??? nand_wait_idle();?
??? nand_deselect_chip();?
}?
NAND Flash的復(fù)位操作共4個(gè)步驟：
1) 發(fā)片選，實(shí)質(zhì)就是NFCONT &= ~(1<<1);往NFCONT的bit[1]寫0；
2) 發(fā)命令復(fù)位命令NAND_CMD_RES (0xff);實(shí)質(zhì)就是NFCMMD = cmd;將命令寫到NFCMMD寄存器；完整的NAND Flash命令信息見(jiàn)下圖：

3) 等待NAND Flash 就緒；實(shí)質(zhì)就是while( !(NFSTAT & (BUSY<<4)) )，讀NFSTAT的bit[4]檢查NAND Flash是否就緒；
4) 取消片選，實(shí)質(zhì)就是NFCONT |= (1<<1); 往NFCONT的bit[1]寫1；

<2> NAND Flash讀ID函數(shù)nand_read_id(),代碼如下
void nand_read_id(void)?
{?
nand_id_info nand_id;?
// 1. 發(fā)片選?
nand_select_chip();?
// 2. 讀ID?
nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_ID);?
nand_send_addr(0x00);?
nand_wait_idle();?
nand_id.IDm = nand_read();?
nand_id.IDd = nand_read();
nand_id.ID3rd = nand_read();?
nand_id.ID4th = nand_read();?
nand_id.ID5th = nand_read();?
printf("NANDFlash: makercode = %x,devicecode = %x\r\n",nand_id.IDm,nand_id.IDd);?
nand_deselect_chip();?
}

NAND Flash 讀ID操作

根據(jù)上圖，NAND Flash的讀ID操作共4個(gè)步驟：
第一步 發(fā)片選；
第二步 發(fā)讀ID命令NAND_CMD_READ_ID(0x90)；
第三步 發(fā)地址0x00；調(diào)用函數(shù)nand_send_addr()；
第四步 等待NAND Flash 就緒；
第五步 讀ID；調(diào)用了nand_read()函數(shù)，實(shí)質(zhì)就是讀NFDATA寄存器；
下面解釋一下函數(shù)nand_send_addr()，核心代碼如下：?
{?
// 列地址，即頁(yè)內(nèi)地址?
col = addr % NAND_PAGE_SIZE;?
// 行地址，即頁(yè)地址?
row = addr / NAND_PAGE_SIZE;?
// Column Address A0~A7?
NFADDR = col & 0xff;?
for(i=0; i<10; i++);
// Column Address A8~A11?
NFADDR = (col >> 8) & 0x0f;?
for(i=0; i<10; i++);?
// Row Address A12~A19?
NFADDR = row & 0xff;
for(i=0; i<10; i++);?
// Row Address A20~A27?
NFADDR = (row >> 8) & 0xff;?
for(i=0; i<10; i++);?
// Row Address A28~A30?
NFADDR = (row >> 16) & 0xff;?
for(i=0; i<10; i++);?
}?
首先根據(jù)頁(yè)大小來(lái)獲取頁(yè)地址和頁(yè)內(nèi)偏移地址，然后通過(guò)5個(gè)周期將地址發(fā)送出去，實(shí)質(zhì)就是寫NFADDR寄存器，具體每個(gè)周期如何發(fā)送，查閱NAND Flash芯片手冊(cè)可知，見(jiàn)下圖：

發(fā)送地址后，就可以連續(xù)讀出5個(gè)ID了，其中第一個(gè)是MAKDER CODE, 第二個(gè)是DEVICE CODE。

<3> NAND Flash擦除函數(shù)nand_erase()，核心代碼如下：
{?
// 獲得row地址，即頁(yè)地址?
unsigned long row = block_num * NAND_BLOCK_SIZE;?
// 1. 發(fā)出片選信號(hào)?
nand_select_chip();?
// 2. 擦除：第一個(gè)周期發(fā)命令0x60，第二個(gè)周期發(fā)塊地址，第三個(gè)周期發(fā)命令0xd0 nand_send_cmd(NAND_CMD_BLOCK_ERASE_1st);
for(i=0; i<10; i++);?
// Row Address A12~A19?
NFADDR = row & 0xff;?
for(i=0; i<10; i++);?
// Row Address A20~A27?
NFADDR = (row >> 8) & 0xff;?
for(i=0; i<10; i++);?
// Row Address A28~A30?
NFADDR = (row >> 16) & 0xff;?
NFSTAT = (NFSTAT)|(1<<4);?
nand_send_cmd(NAND_CMD_BLOCK_ERASE_2st);?
for(i=0; i<10; i++);?
// 3. 等待就緒?
nand_wait_idle();?
// 4. 讀狀態(tài)?
unsigned char status = read_nand_status();?
}

根據(jù)上圖，NAND Flash的擦除操作共6個(gè)步驟：
第一步 發(fā)片選；
第二步 發(fā)擦除命令1 NAND_CMD_BLOCK_ERASE_1(0x60)；
第三步 發(fā)頁(yè)地址，只需發(fā)頁(yè)地址；
第四步 發(fā)擦除命令2 NAND_CMD_BLOCK_ERASE_2st(0xD0)；
第五步 等待NAND Flash就緒；
第六步 讀狀態(tài)，判斷擦除是否成功。若擦除失敗，則打印是壞塊再取消片選；否則直接直接取消片選即可。讀狀態(tài)調(diào)用了函數(shù)read_nand_status()，它的實(shí)質(zhì)就是nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_STATUS);ch = nand_read();先發(fā)讀狀態(tài)命令NAND_CMD_READ_STATUS，然后再讀狀態(tài)值。???

<4> NAND Flash讀函數(shù)copy_nand_to_sdram(),從NAND Flash中讀數(shù)據(jù)到DRAM，核心代碼如下：
{?
// 1. 發(fā)出片選信號(hào) nand_select_chip();
// 2. 從nand讀數(shù)據(jù)到sdram，第一周期發(fā)命令0x00，第二周期發(fā)地址nand_addr,第三個(gè)周期發(fā)命令0x30，可讀一頁(yè)(2k)的數(shù)據(jù)
while(length)?
{?
nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_1st);?
nand_send_addr(nand_addr);?
NFSTAT = (NFSTAT)|(1<<4);?
nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_2st);?
nand_wait_idle();?
// 列地址，即頁(yè)內(nèi)地址?
unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE;?
i = col;?
// 讀一頁(yè)數(shù)據(jù)，每次拷1byte，共拷2048次(2k)，直到長(zhǎng)度為length的數(shù)據(jù)拷貝完畢?
for(; i<NAND_PAGE_SIZE && length!=0; i++,length--)?
{?
*sdram_addr = nand_read();?
sdram_addr++; nand_addr++;?
}?
}?
// 3. 讀狀態(tài)?
unsigned char status = read_nand_status();?
}

NAND Flash 讀操作

根據(jù)上圖，NAND Flash的讀操作共7個(gè)步驟：
第一步 發(fā)片選；
第二步 發(fā)讀命令1 NAND_CMD_READ_1st(0x00)；
第三步 發(fā)地址，調(diào)用函數(shù)nand_send_cmd()，發(fā)5個(gè)地址周期；
第四步 發(fā)讀命令2 NAND_CMD_READ_2st(0xD0)；
第五步 等待NAND Flash就緒；
第六步 從頁(yè)內(nèi)偏移地址開(kāi)始讀，讀到頁(yè)結(jié)尾即結(jié)束，每次讀1byte；
第七步 讀狀態(tài)，判斷是否讀成功。

<5> NAND Flash寫函數(shù)copy_sdram_to_nand (),從DRAM寫數(shù)據(jù)到NAND Flash，核心代碼如下：
{?
// 1. 發(fā)出片選信號(hào)?
nand_select_chip();?
// 2. 從sdram讀數(shù)據(jù)到nand，第一周期發(fā)命令0x80，第二周期發(fā)地址nand_addr,第三個(gè)周期寫一頁(yè)(2k)數(shù)據(jù)，第四周期發(fā)0x10?
while(length)?
{?
nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_1st);?
nand_send_addr(nand_addr);?
// 列地址，即頁(yè)內(nèi)地址?
unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE;?
i = col;?
// 寫一頁(yè)數(shù)據(jù)，每次拷1byte，共拷2048次(2k)，直到長(zhǎng)度為length的數(shù)據(jù)拷貝完畢?
for(; i<NAND_PAGE_SIZE && length!=0; i++,length--)?
{?
nand_write(*sdram_addr);?
sdram_addr++;?
nand_addr++;?
}?
NFSTAT = (NFSTAT)|(1<<4);?
nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st);?
nand_wait_idle();?
}?
// 3. 讀狀態(tài)?
unsigned char status = read_nand_status();

}

根據(jù)上圖，NAND Flash的寫操作共7個(gè)步驟：
第一步 發(fā)片選；
第二步 發(fā)寫命令1 NAND_CMD_WRITE_PAGE_1st (0x80)；
第三步 發(fā)地址地址，調(diào)用函數(shù)nand_send_cmd()，發(fā)5個(gè)地址周期；
第四步 發(fā)讀命令2 NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st (0x10)；
第五步 等待NAND Flash就緒；
第六步 從頁(yè)內(nèi)偏移地址開(kāi)始寫，讀到頁(yè)結(jié)尾即結(jié)束，每次寫1byte；
第七步 讀狀態(tài)，判斷是否讀成功。

2. main.c
在main.c中，首先會(huì)調(diào)用nand_init()來(lái)初始化NAND Flash，然后打印一個(gè)菜單,提供4種選擇測(cè)試NAND Flash：?
讀ID功能(nand_read_id())；?
擦除功能(nand_erase())；?
讀功能(copy_nand_to_sdram())；?
寫功能(copy_sdram_to_nand())；

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的S5PV210裸机之Nandflash的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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