自舉電路

由自舉電阻、自舉二極管和自舉電容組成。當(dāng)下管開(kāi)通時(shí)，Vcc給自舉電容充電；當(dāng)下管關(guān)斷時(shí)，由自舉電容提供Vbs驅(qū)動(dòng)上管開(kāi)通。

1.自舉電容

下圖為等效模型

在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，由自舉電容提供給電路的電荷量（Qg*=功率器件的柵極電荷+驅(qū)動(dòng)IC所需電荷，Ileak為驅(qū)動(dòng)IC漏電流，Ts為周期時(shí)間）

開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)，通過(guò)自舉電阻給自舉電容充電的平均電流為：

即開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)，自舉電阻的平均電壓為：

在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，由自舉電容提供給高邊電路的電荷量（Qg為柵極驅(qū)動(dòng)電荷，Ileak為漏電流，Toff為關(guān)斷時(shí)間）

Vbs的紋波幅度可以表示為

我們假設(shè)4倍的時(shí)間常數(shù)，可以使自舉電容充滿電。那么可以分為兩種情況，Ton < 4τ和Ton?≥ 4τ。

當(dāng)時(shí)，

?當(dāng)時(shí)，

還必須確定Vbsmax - Vdrop?≥?Vgemin。其中Vbsmax如下：

我們假設(shè)自舉電容足夠大，那么ΔVbs就可以忽略，即Vdrop = Vrboot。當(dāng)我們確定Vdrop最大的可接受值后，則

?舉例：QG* = 40 nC, f = 20 kHz, Ileak = 200 μA, Rboot = 220 Ω, Vdrop= 2 V。即確定最小占空比為11%。那么我們分別去D=10% or D=30%, and Cboot = 47 nF or 1μF，來(lái)進(jìn)行分析。

圖中可以看出，D > Dmin時(shí)，紋波較小。

綜上所述，選取自舉電容的步驟為：

（1）計(jì)算Vbsmax

（2）確定最大可接受的Vdrop

（3）計(jì)算Qtot

（4）計(jì)算Cboot。? 即，Cboot = Qtot / Vdrop

（5）驗(yàn)證D。? ? ? ? ?即，Dmin > (4 * Rboot * Cboot) / Ts
?

2.自舉二極管

在高端器件開(kāi)通時(shí)，自舉二極管必須能夠阻止高壓，并且應(yīng)是快恢復(fù)二極管，以減小從自舉電容向電源Vcc的回饋電荷。還要考慮二極管的額定電流。

柵極電阻

1.柵極驅(qū)動(dòng)電阻

首先確定上升時(shí)間T，再確定MOS管Qg。根據(jù)Q = I * T，計(jì)算I。柵極驅(qū)動(dòng)電阻 = 柵極驅(qū)動(dòng)電壓 / 柵極平均驅(qū)動(dòng)電流。

2.柵極泄放電阻：5-10KΩ

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總結(jié)

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