FSMC，即靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)控制器，能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和 16 位 PC 存儲(chǔ)器卡連接，STM32F4 的 FSMC 接口支持包括 SRAM、 NAND FLASH、 NOR FLASH 和 PSRAM 等存儲(chǔ)器。

所有的外部存儲(chǔ)器共享地址、數(shù)據(jù)和控制信號(hào)，但有各自的片選信號(hào)。FSMC一次只能訪問一個(gè)外部器件。

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STM32的FSMC主要功能：（詳情看手冊）

● 支持對同步器件（NOR Flash 和 PSRAM）的突發(fā)模式訪問

● 8 或 16 位寬的數(shù)據(jù)總線

● 每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域有獨(dú)立的片選控制

● 每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域可獨(dú)立配置

● 可對時(shí)序進(jìn)行編程，以支持各種器件

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FSMC 包含四個(gè)主要模塊：

● AHB 接口（包括 FSMC 配置寄存器）

● NOR Flash/PSRAM 控制器

● NAND Flash/PC 卡控制器

● 外部器件接口

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外部器件地址映射

從FSMC的角度，外部存儲(chǔ)器被劃分為4個(gè)固定大小的存儲(chǔ)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域的大小為256MB，如下圖：

● 存儲(chǔ)區(qū)域 1 可連接多達(dá) 4 個(gè) NOR Flash 或 PSRAM 存儲(chǔ)器器件。此存儲(chǔ)區(qū)域被劃分為 4 個(gè)

NOR/PSRAM 區(qū)域，帶 4 個(gè)專用片選信號(hào)。

● 存儲(chǔ)區(qū)域 2 和 3 用于連接 NAND Flash 器件（每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域一個(gè)器件）

● 存儲(chǔ)區(qū)域 4 用于連接 PC 卡設(shè)備

從上圖可知FSMC總共管理1GB空間，擁有4個(gè)存儲(chǔ)塊（Bank），這里我們討論存儲(chǔ)塊1（Bank1），Bank1分為4個(gè)區(qū)，每個(gè)區(qū)64M字節(jié)空間，每個(gè)區(qū)都有獨(dú)立的寄存器對所連接的存儲(chǔ)器進(jìn)行配置。Bank1的256M字節(jié)空間由28根地址線（HADDR[27:0]）尋址。

這里HADDR是內(nèi)部AHB地址總線，其中HADDR[25:0]來自外部存儲(chǔ)器地址FSMC_A[25:0],而HADDR[26:27]對4個(gè)區(qū)進(jìn)行尋址，如下圖：

HARRD[25:0]包含外部存儲(chǔ)器地址，由于HARRD為字節(jié)地址，而存儲(chǔ)器按字尋址，所以根據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的寬度的不同，實(shí)際向存儲(chǔ)器發(fā)送的地址也將有所不同，如下圖：

當(dāng) Bank1 接的是 16 位寬度存儲(chǔ)器的時(shí)候：HADDR[25:1]-->FSMC[24:0]。

當(dāng) Bank1 接的是 ?8 位寬度存儲(chǔ)器的時(shí)候：HADDR[25:0]-->FSMC[25:0]。

不論外部接 8 ?位/16 ?位寬設(shè)備，FSMC_A[0]?永遠(yuǎn)接在外部設(shè)備地址?A[0] 。
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STM32的FSMC支持?jǐn)?shù)據(jù)與地址線復(fù)用或非復(fù)用兩種模式

非復(fù)用模式：16位數(shù)據(jù)線及26位地址線分開始用。推薦在144腳及以上的STM32產(chǎn)品上使用該模式。

復(fù)用模式：低16位數(shù)據(jù)/地址線復(fù)用。在該模式下，推薦使用地址鎖存器以區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)與地址。

若不使用鎖存器:當(dāng)NADV為低時(shí)，ADx(x=0…15)上出現(xiàn)地址信號(hào)Ax，當(dāng)NADV變高時(shí)，ADx上出現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)Dx。
若使用鎖存器:可同時(shí)在ADx上得到Ax和Dx。

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?FSMC?綜合了?SRAM／ROM、?PSRAM?和?NOR Flash?產(chǎn)品的信號(hào)特點(diǎn)，定義了不同的異步時(shí)序模型。選用不同的時(shí)序模型時(shí)，需要設(shè)置不同的時(shí)序參數(shù)。在實(shí)際擴(kuò)展時(shí)，根據(jù)選用存儲(chǔ)器的特征確定時(shí)序模型，從而確定各時(shí)間參數(shù)與存儲(chǔ)器讀／寫周期參數(shù)指標(biāo)之間的計(jì)算關(guān)系；利用該計(jì)算關(guān)系和存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊中給定的參數(shù)指標(biāo)，可計(jì)算出?FSMC?所需要的各時(shí)間參數(shù)，從而對時(shí)間參數(shù)寄存器進(jìn)行合理的配置。

模式1 —— SRAM/CRAM

模式A —— SRAM/PSRAM(CRAM)

模式2/B —— NOR閃存

模式C —— NOR閃存

模式D —— 帶地址擴(kuò)展的異步操作

復(fù)用模式—— 地址/數(shù)據(jù)復(fù)用的NOR閃存異步操作

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對于NOR FLASH/PSRAM控制器-存儲(chǔ)塊1，可通過FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設(shè)置（其中x=1~4，對應(yīng)4個(gè)區(qū)）。?
通過這3個(gè)寄存器，可以設(shè)置FSMC訪問外部存儲(chǔ)器的時(shí)序參數(shù)，拓寬了可選用的外部存儲(chǔ)器的速度范圍。

1.SRAM/NOR閃存片選控制寄存器（FSMC_BCRx）

EXTMOD：擴(kuò)展模式使能位，控制是否允許讀寫不同的時(shí)序，需設(shè)置為1
WREN：寫使能位。我們要向TFTLCD寫數(shù)據(jù)，需設(shè)置為1
MWID[1:0]：存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)總線寬度。00，表示8位數(shù)據(jù)模式；01表示16位數(shù)據(jù)模式；10和11保留。
MTYP[1:0]：存儲(chǔ)器類型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。
MBKEN：存儲(chǔ)塊使能位。需設(shè)置為1

2.SRAM/NOR閃存片選時(shí)序寄存器（FSMC_BTRx）-讀時(shí)序控制

ACCMOD[1:0]：訪問模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：數(shù)據(jù)保持時(shí)間，等于: DATAST(+1)個(gè)HCLK時(shí)鐘周期，DATAST最大為255。
ADDSET[3:0]：地址建立時(shí)間。表示：ADDSET+1個(gè)HCLK周期，ADDSET最大為15。

3.SRAM/NOR閃存寫時(shí)序寄存器（FSMC_BWTRx）-寫時(shí)序控制

ACCMOD[1:0]：訪問模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：數(shù)據(jù)保持時(shí)間，等于: DATAST(+1)個(gè)HCLK時(shí)鐘周期，DATAST最大為255。
ADDSET[3:0]：地址建立時(shí)間。表示：ADDSET+1個(gè)HCLK周期，ADDSET最大值為1111 = 15。
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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的STM32之FSMC-SRAM/NOR原理的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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