金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管

N溝道增強型MOSFET

柵源加電壓，在電場作用下產生溝道。產生溝道的門限開啟電壓VT。

漏源加電壓，產生電壓梯度，導致溝道夾斷。預夾斷的臨界條件

輸出特性

特性方程

可變電阻區? ? ? ??

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飽和區

matlab模型：

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N溝道耗盡型MOSFET

柵源加負電壓，在電場作用下溝道減小。耗盡溝道的夾斷電壓VP。

輸出特性

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P溝道MOSFET

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溝道長度調制效應

理想情況下，MOSFET工作在飽和區時，漏極電流與漏源電壓無關。而實際上，漏源電壓對溝道長度L的調制作用，漏源電壓增加時，漏極電流會有所增加。因此，輸出特性公式需要進行修正

典型器件，λ的值近似表示為，單位μm

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MOSFET放大電路

直流偏置及靜態工作點的計算

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圖解分析

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小信號模型分析

第一項

第二項

第三項，平方會使信號失真，因此需要滿足。達到會略第三項的目的。

最終，模型等效為

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MOSFET三種基本放大電路的比較

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的场效应管放大电路的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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