電源供應

VDD	芯片的數字工作電壓（不使用ADC：2.0V ~ 3.6V? ? 使用ADC：2.4V ~ 3.6V）
VSS	芯片的數字公共接地
VDDA	芯片的模擬工作電壓
VSSA	芯片的模擬公共接地
VREF+	ADC基準參考電壓（2.0V ~ VDDA）
VREF-	模擬基準參考電壓（必須接VSSA）
VBAT	備用電池（RTC和備用寄存器）（1.8V ~ 3.6V）

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VDD：5個100nF的陶瓷電容和1個4.7uF(其實是：min.4.7uF、typ.10uF)的鉭電容

VDDA：1個10nF的陶瓷電容和1個1uF的鉭電容

VREF+：如果單獨提供外部參考，1個10nF的陶瓷電容和1個1uF的鉭電容

VBAT：如果不接電池，接到VDD和1個100nF的陶瓷電容

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復位電路

低電平復位，在按鍵兩端并聯0.1uF陶瓷電容。（內部已有上拉，外部無需上拉）

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時鐘電路

外部高速時鐘：4-16M的晶振。

負載電容CL1=CL2，5pF-25pF，具體值由晶振廠商確定。

具體設計原理，參考大神的博客：https://blog.csdn.net/Seaman_TY/article/details/93090532

外部低速時鐘：32.768K的晶振。

CL1和CL2，建議使用高質量的5pF~15pF的電容，最大值不能超過15pF。
負載電容CL計算： CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray， 其中Cstray是引腳的電容和PCB板或PCB相關的電容，它的典型值是介于2pF至7pF之間。
為了避免超出CL1和CL2的最大值(15pF)，強烈建議使用負載電容CL≤7pF的振蕩器，不能使用負載電容為12.5pF的諧振器。

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啟動電路

（1）用戶閃存 ： 芯片內置的Flash。正常的工作模式。
（2）SRAM： 芯片內置的RAM區，就是內存。可以用于調試。
（3）系統存儲器： 芯片內部一塊特定的區域，芯片出廠時在這個區域預置了一段Bootloader，就是通常說的ISP程序。這個區域的內容在芯片出廠后沒有人能夠修改或擦除，即它是一個ROM區。啟動的程序功能由廠家設置。

阻抗典型值為10kΩ

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調試電路

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參考設計

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的STM32最小系统的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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