NOR的特點是芯片內執行(XIP,?eXecute?In?Place)，這樣應用程序可以直接在Flash?閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。?NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。?

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于Flash的管理和需要特殊的系統接口。?

OneNand是針對消費類電子和下一代移動手機市場而設計的，一種高可靠性嵌入式存儲設備。隨著過去幾十年的Nand技術的發展，一些公司，基于原先的NAND的架構，設計出一種理想的單存儲芯片，其集成了SRAM的緩存和邏輯接口。OneNand既實現NOR?Flash的高速讀取速度，又保留了Nand?Flash的大容量數據存儲的優點。

?	NAND?Flash	One?Nand	NOR?Flash
結構	串行	串行	并行
總線	復用	復用	分離的地址線和數據線
尺寸	1/8	?	典型單位1
壞塊	隨機分布	?	?
快速隨機讀取	?	?	√
快速順序讀取	√	√	√
快速寫編程	√	√	?
同時擦除多個塊	?	√?(最大64個塊)	√
擦除的掛起/恢復	?	√	√
寫回	√(錯誤檢測)	√?(錯誤檢測與糾正)	?
鎖/解鎖/緊鎖	?	√	√
錯誤糾正	外部?(硬件/軟件)	內置	不需要
擴展性	√	√	?

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OneNAND結合了NAND存儲密度高、寫入速度快和NOR讀取速度快的優點，整體性能完全超越常規的NAND和NOR。不過三星并不是希望它快速取代傳統的NAND，而是將其作為NOR的競爭者。在具體實現上，OneNAND其實并不復雜，三星并不是采用另起爐灶的方式來設計它，而是巧妙地將NAND與NOR的結構融為一體。OneNAND采用NAND邏輯結構的存儲內核和NOR的控制接口，并直接在系統內整合一定容量SRAM靜態隨即存儲器作為高速緩沖區。這樣，OneNAND就可以在容量指標上與NAND閃存靠攏，目前它的最高密度指標達到4Gb，雖然在容量上略不如NAND但比NOR閃存要高出許多。

NAND內核并不具備本地執行代碼（XIP）的能力，但這項功能對各種需要快速程序運行終端設備來說非常重要。三星作出的解決辦法就是依靠高速SRAM緩存—在存儲器家族中，SRAM（靜態隨機存儲器）的讀寫速度最快，CPU內的L1 Cache和L2 Cache采用的就是SRAM邏輯，可具備與CPU等速運行的能力。當OneNAND執行程序時，代碼必須從OneNAND存儲核心載入到SRAM，然后在SRAM上執行。由于SRAM的速度優勢，數據載入動作幾乎可以在瞬間完成，用戶感覺不到遲滯現象，加上SRAM被直接封裝在OneNAND芯片內部，外界看起來就好像是OneNAND也具備程序的本地執行功能。這種工作模式非常巧妙，并可收到與NOR相同的效果，但缺點是SRAM邏輯的晶體管利用效率非常低，無法實現較大的容量，三星在OneNAND中只是集成1KB容量的SRAM，因此OneNAND暫時只支持1KB代碼長度的XIP—在這方面，OneNAND顯然還無法與NOR閃存相媲美。

不過，OneNAND的讀寫性能相當出眾，三星最新的OneNAND產品擁有高達108MBps的數據讀取帶寬，這已達到與NOR閃存相當的水準—這個速度也遠遠超過了現在的7200轉桌面硬盤。相比之下，常規NAND閃存的讀取性能只有區區17MBps，兩者存在巨大的性能差異。其次，OneNAND的數據寫入速度達到9.3MBps，雖然遠遠不如108MBps的讀取速度，但相比NAND閃存的6.8MBps也已經有長足的進步了。與之形成鮮明對比的是，NOR閃存的寫入速度只有可憐的0.14MBps，幾乎稱得上是慢如蝸牛。在數據擦除方面，OneNAND與NAND的指標相同，都達到64MBps，而NOR閃存更只有區區0.11MBps，與前兩者完全無法相比。從性能角度來看，OneNAND無論讀、寫還是擦除都明顯凌駕于NAND之上，NOR在寫入/擦除方面的性能與之根本不具可比性，對嵌入式設備廠商來說，選擇簡單的OneNAND來代替NOR+NAND組合的方案是非常可行的。

由于OneNAND采用與NAND相同的存儲內核，它也會遭遇存儲壞塊的問題。如果只是用在數據存儲，這個問題似乎沒什么大不了，但OneNAND必須用于系統代碼的裝載和執行，一旦出現存儲壞區且該區正在執行代碼訪問，造成的后果便是設備死機或者關機，這其實也是NAND進入NOR應用領域的主要障礙。為了解決這個難題，三星公司為OneNAND閃存量身定做了一款名為“Datalight OneBoot”的嵌入式控制軟件。Datalight OneBoot具有高度靈活的特性，可被簡單地整合到各種類型的嵌入式系統中。在實際運行時，OneBoot允許設備像使用硬盤一樣來調用OneNAND資源，讀寫操作的具體算法由OneBoot在底層直接實現。而在關鍵的壞塊管理上，OneBoot通過實時掃描、瞬間屏蔽的方式來隱藏壞塊。掃描工作一般在系統閑置時進行，如果OneBoot檢測到存儲區的某處存在壞塊，那么OneBoot就對該區域作上標注，將壞塊屏蔽起來，這樣代碼運行或數據讀寫時就不會訪問到這個區域，保證系統運行及個人數據存儲的可靠性。這種機制非常有效，往往是壞塊剛剛產生就被OneBoot檢測到并屏蔽，沒有什么機會被程序或用戶所訪問。因此盡管OneNAND仍在物理上具備類似NAND的不可靠性缺陷，但三星的OneBoot嵌入式控制軟件在很大程度上可以將之消除，該套系統的可靠性完全可以同搭載NOR閃存的系統相媲美。為了讓OneNAND能進入更多領域，三星還在OneBoot基礎上發展出增強的“OneBoot+File”技術，后者除了具備OneBoot所有的功能特性外，還能夠明顯加快系統的啟動速度。OneBoot+File的啟動加速技術有些類似于計算機的“休眠”，它在運行時可以自動保存系統的工作狀態，在下一次啟動時直接從該狀態恢復。三星表示，采用OneBoot+File控制軟件，系統的啟動速度可比常規方式快出88％，幾乎是即開即用。鑒于掌上設備日趨復雜化，軟件功能增加，啟動時間也相應延長，而選擇三星的OneNAND閃存與OneBoot+File控制軟件方案可很好緩解這些問題，這在智能手機、掌上電腦、高性能數碼相機等產品中尤其具有積極意義。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的OneNand、Nand和Nor三种Flash的区别的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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