英特爾總裁Brian Krzanich日前在2016年二季度財(cái)報(bào)上透露，基于3D XPoint內(nèi)存技術(shù)的Optane固態(tài)硬盤(pán)將在今年年底之前上市。

根據(jù)Q2財(cái)報(bào)，英特爾的內(nèi)存業(yè)務(wù)同步去年下滑了20%，低于公司預(yù)期。但由于即將在未來(lái)數(shù)月發(fā)布的新技術(shù)，英特爾對(duì)前景依然保持樂(lè)觀。“位于中國(guó)大連的Fab 68在二季度末開(kāi)始了3D NAND晶圓的生產(chǎn)，這是早于之前計(jì)劃的。”Krzanich說(shuō)道。

Krzanich隨后還表示，英特爾已經(jīng)把部分3D XPoint樣品發(fā)送給了客戶(hù)，好讓他們?nèi)y(cè)試并理解自家新技術(shù)。后者預(yù)計(jì)會(huì)利用這些新技術(shù)制作消費(fèi)和商業(yè)級(jí)的固態(tài)硬盤(pán)，其性能相比普通固態(tài)硬盤(pán)要高出5-10倍。

但是，3D XPoint DIMM才是英特爾所更為期待的，這種內(nèi)存模塊會(huì)在明年問(wèn)世，相關(guān)產(chǎn)品將會(huì)被用于機(jī)器學(xué)習(xí)和大數(shù)據(jù)等云端技術(shù)領(lǐng)域。

可除了商業(yè)和企業(yè)解決方案之外，稱(chēng)3D XPoint還會(huì)出現(xiàn)在筆記本和游戲機(jī)這樣的消費(fèi)級(jí)設(shè)備當(dāng)中。舉個(gè)例子，在這項(xiàng)技術(shù)的幫助下，游戲可以把下一個(gè)關(guān)卡預(yù)載到緩存式的環(huán)境當(dāng)中，從而提高關(guān)卡之間的過(guò)渡速度。

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本文轉(zhuǎn)自d1net（轉(zhuǎn)載）

總結(jié)

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