日前，AnandTech披露了一組華為第四代ARM服務器自研芯片，Hi1620的主要規格信息，新的Hi1620被宣布為全球首款用于數據中心的7nm處理器，其中Ares內核將為其部署帶來高性能。

至少四年來，Arm一直在努力成為現代服務器、現代數據中心的重要組成部分，并在云計算中扮演真正的重要角色。然而，在同樣的四年中，Arm一直在努力打造更高性能的內核，以便在單線程工作負載中可以與x86競爭。該核心是將于2019年發布的Ares，盡管Arm尚未正式披露具體技術細節，但華為已經宣布其中心擁有帶有Ares核心的硬件。

Hi1620服務于華為代號“Taishan泰山”的高性能平臺，芯片基于ARM v8.2架構，單路可配置24——64核，每核心配置512KB二級緩存和1MB三緩，頻率范圍在2.4——3.0GHz。這些內核中的每一個都具有64KB L1數據高速緩存和64 KB L1指令高速緩存，每個內核具有512KB的專用L2高速緩存。L3將以1MB /核心的共享緩存運行，最高可達64MB。在消費者Skylake核心的范圍內，這意味著每個核心更多的L2緩存，但L3更少。但是，沒有關于相關性的話。其中一個關鍵問題在于性能：許多供應商都希望擁有具有Skylake級別原始性能的Arm核心。

這套CPU核心代號Ares，外媒稱是ARM用于服務器的公版，但有國內媒體透露其實是華為基于ARM v8.2自研，尚待確認。

據了解，Hi1620的定位是全球首款7nm工藝的數據中心用ARM處理器。將應用于“Taishan泰山”高性能平臺，芯片基于ARM v8.2架構，單路可配置24 — 64核，每核心配置512KB二級緩存和1MB三緩，頻率為2.4——3.0GHz。存儲和I/O方面，支持8通道DDR4-3200內存，支持40條PCIe 4.0通道，小于Hi1616上的46個通道。Hi1620還將支持CCIX，以及雙100GbE MAC，一些USB 3.0和一些SAS連接。可能是晶體管數量增加了很多，即便是7nm工藝加持，Hi1620芯片BGA封裝的尺寸達到了60x75 mm，比上一代16nm的Hi1616的57.5x57.5 mm還大。功耗范圍100——200W，應該是24核對應100W，64核對應200W。

文章來源：EETOP

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總結

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