電漿的產生可藉由直流(DC)偏壓或交流射頻(RF)偏壓下的電場構成，如圖5-3所示，而在電漿中的電子來源通常有二：一為分子或原子解離后所產生的電子，另一則為離子撞擊電極所產生的二次電子(Secondary Electron)，在直流(DC)電場下產生的電漿其電子源主要以二次電子為主，而交流射頻(RF)電場下產生的電漿其電子源則以分子或原子解離后所產生的電子為主。現今一切的電漿系統皆為射頻系統。另外值得一提的是在射頻系統中一個重要的參數是供應動力的電極面積與接地電極面積之比。
隨著制程參數及電漿狀態的改動，能夠辨別為兩種極端的性質的蝕刻方式，即純物理性蝕刻與純化學反響性蝕刻。純物理性蝕刻可視為一種物理濺鍍(Sputter)方式，它是應用輝光放電，將氣體如Ar，解離成帶正電的離子，再應用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的外表，而將被蝕刻物質原子擊出。此過程乃完整應用物理上能量的轉移，故謂之物理性蝕刻。其特征為離子撞擊具有很好的方向性，可取得接近垂直的蝕刻輪廓。但缺陷是由于離子是以撞擊的方式到達蝕刻的目的，因而光阻與待蝕刻資料兩者將同時遭受蝕刻，形成對屏蔽物質的蝕刻選擇比變差，同時蝕刻終點必需準確掌控，由于以離子撞擊方式蝕刻關于底層物質的選擇比很低。且被擊出的物質常常非揮發性物質，而這些物質容易再度堆積至被蝕刻物薄膜的外表或側壁。加上蝕刻效率偏低，因而，以純物理性蝕刻方式在集成電路制造過程中很少被用到。
由于電子來回的振蕩，因而離子化的機率大為提升，蝕刻速率可因此提升；3) 可在較低的電極電壓下操作，以減低電漿對組件所招致之損壞；4) 關于介電質資料同樣能夠運作。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的直流(DC)跟交流射频(RF)的电场构成的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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