20155222盧梓杰 課堂測試ch06補做

• 1.下面代碼中，對數組x填充后，采用直接映射高速緩存，所有對x和y引用的命中率為（）
  
  A . 1
  B . 1/4
  C . 1/2
  D . 3/4
  正確答案： D
  解析：在x結尾加了填充，x[i]和y[i]映射到了不同分組，消除了抖動沖突不命中，因此3/4的引用是命中的。

• 2.有關高速緩存的說法正確的是（）
  A . 高速緩存的容量可以用C=SEB 來計算
  B . 高速緩存容量為2048，高速緩存結構為（ 32 ，8，8，32）
  C . 直接映射高速緩存要：組選擇、行匹配、字抽取
  D . 當程序訪問大小為2的冪的數組時，直接映射高帶緩存中常發生沖突不命中
  正確答案： A C D

• 3.The following table gives the parameters for a number of different caches. For each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),and block offset bits (b)
  
  A . 第三行S為1
  B . 第一行t為24
  C . 第二行b為5
  D . 第三行s的值為0
  正確答案： A C D
  解析：這是對各種高速緩存參數定義的直接引用。

• 4.有關緩存的說法，正確的是（）
  A . LRU策略指的是替換策略的緩存會選擇最后被訪問時間距現在最遠的塊
  B . 不同層之間以字節為傳送單元來回復制
  C . 緩存不命時，決定哪個塊是犧牲塊由替換策略來控制
  D . 空緩存的不命中叫沖突不命中
  正確答案： A C
  解析：不同層之間以塊為傳送單元來回復制，空緩存的不命中叫強制性不命中或冷不命中，使用限制性的放置策略引起的不命中稱為沖突不命中。

• 5.下面說法正確的是（）
  
  A . 存儲層次結構中最小的緩存是寄存器
  B . 存儲層次結構的中心思想是每一層都緩存來自較低一層的數據對象
  C . L4主存可以看作是L5：本地磁盤的緩存
  D . L4主存可以看作是L6的緩存
  正確答案： A B C
  解析：存儲器只能視相鄰的上一級的存儲器作為緩存。

• 6.下面代碼的步長是（）
  
  A . 1
  B . N
  C . NN
  D . NN*N
  正確答案： C
  解析：將循環順序改為k-i-j即可將步長改為1。

• 7.下面代碼中（）局部性最差
  1 #define N 1000
  2 3
  typedef struct {
  4 int vel[3];
  5 int acc[3];
  6 } point;
  7 8
  point p[N];
  A .
  1 void clear1(point p, int n)
  2 {
  3 int i, j;
  4 5
  for (i = 0; i < n; i++) {
  6 for (j = 0; j < 3; j++)
  7 p[i].vel[j] = 0;
  8 for (j = 0; j < 3; j++)
  9 p[i].acc[j] = 0;
  10 }
  11 }
  B .
  1 void clear2(point p, int n)
  2 {
  3 int i, j;
  4 5
  for (i = 0; i < n; i++) {
  6 for (j = 0; j < 3; j++) {
  7 p[i].vel[j] = 0;
  8 p[i].acc[j] = 0;
  9 }
  10 }
  11 }
  C .
  1 void clear3(point *p, int n)
  2 {
  3 int i, j;
  4 5
  for (j = 0; j < 3; j++) {
  6 for (i = 0; i < n; i++)
  7 p[i].vel[j] = 0;
  8 for (i = 0; i < n; i++)
  9 p[i].acc[j] = 0;
  10 }
  11 }
  D .
  不確定
  正確答案： C
  解析：C中的代碼按照列的順序掃描兩個數組。

• 8.程序中（）語句具有良好的局部性
  A . 順序
  B . 分支
  C . 循環
  D . 以上都是
  正確答案： C
  解析：順序引用模式步長為1。

• 9.下面代碼，（）具有差的空間局部性。
  A .
  1 int sumvec(int v[N])
  2 {
  3 int i, sum = 0;
  4
  5 for (i = 0; i < N; i++)
  6 sum += v[i];
  7 return sum;
  8 }
  B .
  1 int sumarrayrows(int a[M][N])
  2 {
  3 int i, j, sum = 0;
  4 5
  for (i = 0; i < M; i++)
  6 for (j = 0; j < N; j++)
  7 sum += a[i][j];
  8 return sum;
  9 }
  C .
  1 int sumarraycols(int a[M][N])
  2 {
  3 int i, j, sum = 0;
  4 5
  for (j = 0; j < N; j++)
  6 for (i = 0; i < M; i++)
  7 sum += a[i][j];
  8 return sum;
  9 }
  D .
  以上都不對
  正確答案： C
  解析：C中代碼按照列順序掃描數組，步長為N。

• 10.有關局部性原理，說法正確的是（）
  A . 程序訪問一個向量，步長越小或短，空間局部性越好
  B . 局部性有兩種形式：空間局部性，時間局部性
  C . 程序訪問一個向量，步長越大空間局部性越好。
  D . 硬件、OS，應用程序都會用到局部性原理
  正確答案： A B D
  解析：一個編寫良好的計算機程序常常具有良好的局部性。也就是，他們傾向于引用鄰近于其他最近引用過的數據項的數據項，或者最近飲用過的數據項本身。這種傾向性，被稱為局部性原理，是一個持久的概念，對硬件和軟件系統系統的設計和性能都具有極大影響。

• 11.下面說法正確的是（）
  A . CPU通過內存映射I/O向I/O設備發命令
  B . DMA傳送不需要CPU的干涉
  C . SSD是一種基于閃存或Flash的存儲技術
  D . 邏輯磁盤塊的邏輯塊號可以翻譯成一個（盤面，磁道，扇區 ）三元組。
  正確答案： A B C D

• 12.下面（）是I/O總線
  A . USB
  B . PCI
  C . 網卡
  D . 圖形卡
  正確答案： B
  解析：例如圖形卡，監視器，鼠標，鍵盤和磁盤這樣的I/O設備，都是通過總線，例如Intel的外圍互聯設備PCI總線連接到CPU和主存的。

• 13.圖中磁盤一個扇區的訪問時間約為（）ms
  A . 10
  B . 5
  C . 6
  D . 8
  E . 12
  正確答案： A

• 14.有關磁盤操作，說法正確的是（）
  A . 對磁盤扇區的訪問時間包括三個部分中，傳送時間最小。
  B . 磁盤以字節為單位讀寫數據
  C . 磁盤以扇區為單位讀寫數據
  D . 讀寫頭總處于同一柱面
  正確答案： A C D
  解析：一次尋道最大時間為9ms，旋轉時間約為4ms,傳送時間約為0.02ms。

• 15.計算下面磁盤的容量（）：4個盤片，100000個柱面，每條磁道400個扇區，每個扇區512個字節
  A . 81.92GB
  B . 40.96GB
  C . 163.84
  D . 327.68GB
  正確答案： C
  解析：5124004210 0000/1 000 000 000=163.84

• 16.有關磁盤，說法正確的是（）
  A . 磁盤的讀取時間為毫秒級
  B . 每張磁盤有一個表面
  C . 表面由磁道組成
  D . 每個扇區的面積不同，包含的數據位的數量也不一樣
  正確答案： A C
  解析：每張盤片有兩個表面，每個扇區包含相等量的數據位。

• 17.根據攜帶信號不同，總線可分為（）
  A . 系統總線
  B . 數據總線
  C . 內存總線
  D . 地址總線
  E . 控制總線
  正確答案： B D E
  解析：總線是一組并行的導線，能攜帶地址、數據和控制信號。

• 18.關于非易失性存儲器，下面說法正確的是（）
  A . DRAM是非易失性存儲器
  B . SRAM是非易失性存儲器
  C . PROM只能編程一次
  D . EEPROM可以用紫外線進行擦除
  E . 存在ROM中的程序通常被稱為固件
  正確答案： C E
  解析：如果斷電，DRAM和SRAM會丟失他們的信息，所以他們是易失的。EPROM可以用紫外線進行擦除，EEPROM不需要一個物理上獨立的編程設備，因此可以直接在印刷電路卡上編程。

• 19.通過使用兩個時鐘沿作為控制信號，對DRAM進行增強的是（）
  A . FPM DAM
  B . SDRAM
  C . DDR SDRAM
  D . VRAM
  E . EDO DRAM
  正確答案： C
  解析：DDRAM是對SDRAM的一種增強，他通過使用兩個時鐘沿作為控制信號，從而使DRAM的速度翻倍。

• 20.有關RAM的說法，正確的是（）
  A . SRAM和DRAM掉電后均無法保存里面的內容。
  B . DRAM將一個bit存在一個雙穩態的存儲單元中
  C . 一般來說，SRAM比DRAM快
  D . SRAM常用來作高速緩存
  E . DRAM將每一個bit存儲為對一個電容充電
  F . SRAM需要不斷刷新
  G . DRAM被組織為二維數組而不是線性數組
  正確答案： A C D E G
  解析：SRAM將一個bit存在一個雙穩態的存儲單元中,DRAM需要不斷刷新.

• 21.有關計算機存儲系統，下面說法正確的是（）
  A . 程序具有良好的局部性表現在傾向于從存儲器層次結構中的較低層次處訪問數據，這樣節省時間
  B . 存儲層次涉用不同容量，成本，訪問時間的存儲設備
  C . 存儲層次設計基于局部性原理
  D . “存儲山”是時間局部性和空間局部性的函數
  正確答案： B C D
  解析：程序具有良好的局部性表現在傾向于從存儲器層次結構中的較高層次處訪問數據。

轉載于:https://www.cnblogs.com/20155222lzj/p/8000974.html

總結

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