Nandflash K9F1208U0B学习
注：
Row也就是page
1.?????? 引腳描述
I/O0 ~ I/O7-----data inputs/outputs
通過這8個I/O引腳，可以輸入命令，地址和數據，也可以在讀操作時輸出數據。
?
CLE-----command latch enable
CLE輸入控制了發送到命令寄存器的命令。CLE為高電平時激活，在nWE的上升沿，命令通過I/O端口被鎖存到命令寄存器中，結合datasheet的相關時序圖來理解更為深刻。
?
ALE-----address latch enable
ALE輸入控制了地址發送到內部地址寄存器中，在nWE的上升沿和ALE為高電平時，地址被鎖存到地址寄存器中。
?
nCE-----chip enable
nCE是設備選擇控制引腳。
?
nWE-----write enable
寫使能，在nWE的上升沿，命令，地址和數據被鎖存。
?
nWP -----write protect
寫保護，當此引腳為低電平激活，也即內部高壓發生器復位。
?
R/B-----ready/busy output
就緒/忙輸出引腳，通過這個引腳可以知道設備操作的狀態。低電平時，表示編程或擦除或隨機讀操作在進行，并且根據完成情況來返回高狀態。
2.?????? K9F1208U0B的存儲結構和存儲特點
2.1? K9F1208U0B的存儲結構
?
?
?
一片K9F1208U0B總共有4096blocks，每個block包含32pages，每個page包含528bytes，關系如下：
1 device = 4096 blocks
1 block = 32 pages
1 page = 512 Bytes data field + 16 bytes spare field
所以一片K9F1208U0B的容量為4096*32*528=66MB，但是事實上每個page上的最后16bytes是用于存儲校驗碼用的，并不能存放實際的數據，所以實際上我們可以操作的芯片容量為4096*32*512=64MB
?
由上圖可知，1個page總共由528 bytes組成，這528 bytes安順序由上到下以列為單位進行排列(1列代表一個byte，第0行為第0 byte，第1行為第1 byte)。這528 bytes按功能分為兩大部分，分別是data field和spare field，其中spre field占528 bytes里的16 bytes，這16 bytes是用于在讀寫操作的時候存放校驗碼用的，一般不用做普通數據的存儲區，除去16 bytes，剩下的512 bytes便是我們用于存放數據用的data field，所以一個page上雖然有528 bytes，但我們只按512 bytes進行容量的計算。
?
Data field安裝位置有分為兩部分，分別成為1st half和2nd half，每個half各占256 bytes，至于為什么要把data field分為兩部分，后面將做進一步分析。
?
2.2?? K9F1208U0B存儲操作特點
⑴K9F1208U0B是以頁為單位進行讀寫，以block為單位進行擦除。
⑵K9F1208U0B芯片每一位只能從1變為0，而不能從0變為1，所以在對其進行寫操作之前一定要將相應塊擦除(擦除即是將相應塊的位全部變為1)
⑶最后16 bytes(OOB)，OOB的第六個字節(即第517個byte)標志是否是壞塊，如果不是壞塊該值為FF，否則為壞塊！
⑷除OOB第六字節外，通常至少把OOB的前3個字節存放nandflash硬件ECC碼。
2.3?? ?
3.?????? K9F1208U0B的地址空間
?
?
64M byte物理空間需要26位地址，所以需要4個周期來發送地址，見上圖
?
Column address
列地址，columm address其實就是指定page上的某個byte，指定這個byte，其實也就是指定此頁的讀寫起始地址。512byte需要8bit來表示，對于528byte系列的NANDFLASH，這512byte被分成1st half和2nd half，各自的訪問由不同的命令(00h/01h)來選擇
?
因為我們的地址，命令和數據都只能通過I/O0~I/O7這8個引腳發送到nandflash，對應于A0~A7，這也就是為什么A8不出現在我們傳遞的地址位中，也就是說我們能夠指定的column address范圍為0~255，但是，1個page的datafield是有512個byte組成的，假設現在我要指定讀命令從第256個byte處開始開始讀取此頁，那么將會發生什么情景呢？我必須把column address設置為256，但column address最大只能是255，這就造成數據溢出，正是這個原因才把data field分成2個半區。當腰讀取的其實地址(column address)在0~255內時我們用00h命令，當讀取的其實地址是256~511時，則使用01h命令
?
Page address
頁地址，由于頁地址總是以512byte對齊的，所以它的低9位總是0，確定讀寫操作時在flash上的哪個頁進行的。一個block有32個page，所以需要5bit來表示，即A9~A13，即該頁在blcok內的相對地址
?
Block address
一個K9F1208U0B flash有4096個block，所以需要12bit來表示，及A14~A25。
?
地址傳送順序是column address，page address，block address，但由于地址只能在I/O[7:0]上傳送，因此，必須采用移位的方式進行，下面以NandAddr為例
⑴第一步是傳遞column address，就是NandAddr[7:0]，不需要移位即可傳遞到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即bit8是有操作指令(00h/01h)決定的，即指令決定是在哪個halfpage上進行讀寫，而真正的bit8的值是don’t care的。
?
⑵第2步就是將NandAddr右移9bit，將NandAddr[16:9]傳到I/O[7:0]上。
⑶第3步就將NandAddr[24:17]放到I/O[7:0]上。
⑷第4步需要將NandAddr[25]放到I/O[0]上，因此，整個地址傳遞過程需要4步才能完成，即4-step addressing。
?
4.?????? K9F1208U0B的操作命令集
?
⑴ Read 1
命令是00h/01h，這兩個命令用于讀取datafield的數據，其中00h表示將要讀取K9F1208U0B存儲空間中一個頁的前半部分，并且將內置指針定位到前半部分的第一個字節；01h表示將要讀取K9F1208U0B存儲空間中一個頁的后半部分，并且將內置指針定位到后半部分的第一個字節。
⑵ Read 2
命令是50h，用于讀取sparefield的數據。
?
⑶ Read ID
命令是90h，讀取nandflash芯片的ID號
?
⑷ Reset
命令是FFh，重啟nandflash芯片。
?
⑸ Page Program
對頁進行編程命令，由于寫操作，首先寫入00h(A區)/01h(B區)/50h，表示寫入那個區；再寫入80h開始編程模式(寫入模式)，接下來寫入地址和數據，最后寫入10h表示編程結束。
?
⑹ Block Erase
塊擦除命令，首先寫入60h進入擦寫模式，然后輸入塊地址；接下來寫入D0h，表示擦寫結束。
?
⑺ Read Status
讀取內部狀態寄存器值命令，命令式70h。
《新程序員》：云原生和全面數字化實踐50位技術專家共同創作，文字、視頻、音頻交互閱讀總結
以上是生活随笔為你收集整理的Nandflash K9F1208U0B学习的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
- 上一篇： 基于S3C2440A+SDRAM(K4M
- 下一篇： WINCE6.0+S3C2443的RTC