台积电:绝大多数7nm客户都会转向6nm
不久前,臺(tái)積電官方宣布了 6nm (N6) 工藝節(jié)點(diǎn),在已有 7nm (N7) 工藝的基礎(chǔ)上增強(qiáng)而來,號(hào)稱可提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性價(jià)比,而且能加速產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、上市速度。
臺(tái)積電 CEO 兼副董事長(zhǎng)魏哲家(CC Wei)最新披露,絕大多數(shù) 7nm 工藝客戶,都會(huì)轉(zhuǎn)向 6nm 工藝,使用率和量產(chǎn)產(chǎn)能都會(huì)迅速擴(kuò)大。
考慮到 6nm 工藝沿用了 7nm 工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則,升級(jí)遷移還是相當(dāng)容易的,成本增加不大,性能功耗方面又有提升(雖然不會(huì)特別明顯),客戶自然也樂得上新工藝,看起來這代工藝會(huì)相當(dāng)流行。
臺(tái)積電現(xiàn)在的 7nm 工藝有兩個(gè)版本,第一代 7nm (N7) 采用傳統(tǒng) DUV 光刻技術(shù),第二代 7nm+ (N7+)則是首次加入 EUV 極紫外光刻,已進(jìn)入試產(chǎn)階段,預(yù)計(jì)下一代蘋果A、華為麒麟都會(huì)用,2019 年兩者合計(jì)可貢獻(xiàn)大約 25% 的收入。
新的 6nm 工藝也有 EUV 極紫外光刻技術(shù),相比 7nm+ (N7+)增加了一個(gè)極紫外光刻層,同時(shí)相比 7nm (N7) 可將晶體管密度提升 18%,而且設(shè)計(jì)規(guī)則完全兼容 7nm (N7),便于升級(jí)遷移,降低成本,相比之下 7nm+ (N7+)則是另一套設(shè)計(jì)規(guī)則。
臺(tái)積電 6nm 預(yù)計(jì) 2020 年第一季度試產(chǎn),再往后的 5nm 工藝也已經(jīng)開始試產(chǎn),號(hào)稱相比于第一代 7nm 晶體管密度提升 45%,可帶來 15% 的性能提升或 20% 的功耗下降。
事實(shí)上,臺(tái)積電預(yù)計(jì)多數(shù) 7nm 工藝客戶會(huì)轉(zhuǎn)向 6nm 然后再次升級(jí)到 5nm,7nm+ 則不會(huì)那么普及,不少客戶可能會(huì)選擇跳過。
總結(jié)
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