剛進入 2020 年，三星元旦跳電事件、鎧俠（原東芝）火災兩大意外，助長 NAND Flash 漲價火苗，通路商已磨刀霍霍，不斷釋出停止報價、貨源不足、越晚買越貴等消息，準備大力拉抬 NAND Flash 價格。

　　其實，三星和東芝的意外事件只是加助 NAND Flash 漲價氣氛更為緊張，真正讓 2020 年 NAND Flash 產業供給吃緊的秘密，其實是 Sony 和微軟兩大游戲機巨頭。

　　一、Sony 和微軟游戲機首度改用 SSD

　　2020 年即將問世的兩大新款游戲機 Sony 的 PS5 和微軟的 Xbox Series X，首度將內部存儲系統從傳統硬盤改為 NAND Flash 芯片做成的 SSD 系統，且存儲容量是從 1TB 起跳，一下子吃掉全球太多 NAND Flash 芯片，導致供給端嚴重不足，全年 NAND Flash 價格看漲。

　　Sony 游戲子公司 Sony Interactive Entertainment (SIE)已對外宣布，PS4 游戲機次世代機種是PlayStation 5(PS5)，預計在 2020 年下半開賣，這也是 Sony 睽違 7 年后推出的新款游戲機。根據統計，PS4 游戲機問世以來，全球累計銷售量突破 1 億臺。

　　Sony 的 PS5 游戲機最大特點，是支援 8K 畫質，且內部用來存儲游戲數據的系統，將從原本 PS4 的傳統硬盤 HDD 改為 SSD。

　　再者，微軟新一代的游戲主機 Xbox Series X 賣點也同樣是支援 8K 游戲，并采用新一代的 SSD 存儲系統，同樣是 2020 年下半年問世。

　　Sony 和微軟兩大游戲廠為了新機種的鋪貨，已經悄悄向三星、SK 海力士、鎧俠等存儲大廠預定不少 NAND Flash 產能，確保首批游戲機鋪貨順利。

　　游戲機首度改采 NAND Flash 芯片，是一項完全從 “零” 開始的殺手級應用，對全球存儲產業供給會帶來多少影響？　　

　　二、一臺游戲機抵兩臺筆記本

　　自從 NAND Flash 芯片價格下跌以來，讓 SSD 的每 GB 單位成本大幅下滑，順勢刺激以 SSD 取代傳統硬盤的趨勢，2019 年筆記本的 SSD 搭載率已經逼近 70%。

　　若每臺筆記本搭載 512GB 的 SSD 存儲容量，而每臺游戲機是搭載 1TB 存儲容量，等于是每出貨一臺游戲主機，就消耗掉兩臺筆記本的 NAND Flash 容量。

　　進一步推算，只要出貨 2000 萬臺的游戲機，等于消耗 4000 萬臺的筆記本所需要的 NAND Flash 容量，而這種從 “零” 冒出來的需求，確實是 2020 年 NAND Flash 產業的新殺手。

　　游戲機全面擁抱 SSD，對于存儲產業而言是全新變革。

　　然而，SSD 取代傳統硬盤的趨勢，已經從工業系統、數據中心、計算機、筆記本等就開始蔓延，隨著 NAND Flash 芯片成本和價格下滑，也加速這種取代效益，傳統硬盤早已無法抵擋 NAND Flash 產業的大軍來襲。

　　三、三星、東芝接力“演出”

　　2020 年至今也不過一周多，NAND Flash 產業供給端也發生了兩起意外事故，對于 NAND Flash 價格上漲有推波助瀾效果。

　　元旦當天，韓國三星旗下位于華城園區的 NAND Flash 工廠出現跳電意外，雖然只有跳電 3 分鐘，對于實質供給端并未造成影響，但已經讓整個市場的買方陷入焦慮，開始提前備貨，怕之后價格越買越貴。

　　三星這場 “3 分鐘意外”，其實對于供給面沒有實際的影響，但是大幅刺激了心理層面，促使許多客戶趕快備貨買單，讓原本是傳統淡季的首季 NAND Flash 合約價從“持平” 轉為“小漲”。

　　不僅如此，日本存儲大廠鎧俠 Kioxia 在 7 日也意外出現火警。

　　鎧俠對客戶發出通知，指出 2020 年 1 月 7 日上午 6 點 10 分，位于日本三重縣四日市的 Fab 6 晶圓廠中的機臺設備發生火警，這起意外并沒有造成任何人員傷亡，至于生產機臺損害的情況還在評估。

　　這座 Fab 6 廠是由鎧俠與西部數據合資，在 2018 年 9 月才正式開始營運，生產主流的 64 層和 96 層 3D NAND 芯片。

　　有業者開玩笑表示，這不是改名為鎧俠的東芝半導體首度發生意外事故，但算是第一次這么主動發信通知客戶，告知有這樣的意外發生。

　　雖然鎧俠強調影響不大，但似乎有點隱喻著，公司也有意主動告知客戶此訊息，讓客戶緊張，以加速“結帳買單”，營造更大的 NAND Flash 漲價空間。

　　推測是這一波的 NAND Flash 價格上漲以來，NAND Flash 報價才剛剛到鎧俠和西部數據（兩家公司合資蓋廠）的生產成本，意思是，兩家公司才剛要賺錢，如果可以創造市場更為供給吃緊的氣氛，就可再推升價格。

　　全球 NAND Flash 價格在 2019 年下半開始止跌上揚，除了是各大存儲廠放緩新廠的擴產速度、減產之外，鎧俠（當時還叫做東芝）在 2019 年日本三重縣四日市因為停電導致大規模的產線停工，也是 “小幫手” 之一。

　　東芝是在 2019 年 10 月 1 日起，正式改名為鎧俠(Kioxia)，而跳電事件是發生在 2019 年 6 月 15 日。

　　當時，業界原本以為是個小意外事件，最后卻演變成大規模停工一個月，以針對廠內的機臺設備作檢測，更加造成供貨緊張，刺激 NAND Flash 價格止跌上漲。

　　相較于三星、SK 海力士的存儲晶圓有分散生產基地，同時也在中國建立生產據點，像是三星西安廠生產 3D NAND 芯片、SK 海力士無錫廠生產 DRAM 芯片，而鎧俠與西部數據的合資晶圓廠多數集中在三重四日市。

　　唯一例外的是，鎧俠與西部數據在 2018 年時首度到日本東北地區的巖手縣建立了一座 3D NAND 生產線 K1 廠，計劃生產 96 層的 3D NAND Flash 芯片，瞄準數據中心、智能手機等應用。

　　這座 K1 廠是計畫在 2020 年第二季進入量產，但傳出鎧俠內部的資金很緊，加上 NAND Flash 價格才剛剛復蘇到成本線以上，因此內部對于產能的規劃是非常小心，甚至偏向保守。

　　事實上，日本是個地震頻繁的地區，過去的東本 311 大地震，不但造成東芝大停工，更讓全球零組件供應一度斷線，因此，分散生產線已經是很多半導體廠采取的分散風險策略之一。

　　業界分析，接下來的 NAND Flash 產業大戰不容忽視，首先產業好不容易復蘇，各廠正要開始獲利，再者是技術之戰，2020 年下半要進入 128 層 3D NAND 芯片量產期，各廠要把資金銀彈、技術制程都準備到位。

　　四、長江存儲入局牽動全球神經

　　最關鍵的是，長江存儲今年已開始量產 64 層 3D NAND 芯片，傳出年底 128 層 3D NAND 要問世，與國際大廠的技術水平再一次拉近，而這對全球戰局也是很重要的挑戰。

　　長江存儲入局 3D NAND 芯片，從 32 層技術切入，之后是 64 層技術，一步步宣告 3D NAND 的自主研發成功。

　　公司內部定調，32 層技術是試水溫，要到 64 層準備好，才會真正大量投產，但其實長江存儲的 32 層 3D NAND 已經用在很多嵌入式存儲 eMMC 系統上，顯見即使是試水溫的技術，實力也非常扎實。

　　長江存儲的入局，不至于會引爆價格戰，因為初期會以國產替代為主，但所有外商已經非常緊張，因為，這是中國第一次可以掌握如此關鍵技術的存儲芯片，在芯片自主研發的路途上，3D NAND 打了非常漂亮的一仗。

　　國內投入 3D NAND 技術的開發，除了朝芯片國產替代之路前進，本身 NAND Flash 芯片的應用領域非常廣，是一個成長型產業。

　　最早是相機使用的 SD 卡、U 盤等，之后擴展到智能手機內部，一直到數據中心大量使用 SSD 取代傳統硬盤，算是 NAND Flash 產業的一大高峰。

　　進入 2020 年，迎來 5G 時代，加上 AI、數據中心需求回升等，未來對于 NAND Flash 芯片的需求非常值得期待。

總結

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