国产SSD将迎来爆发,长江存储自主开发64层3D闪存已量产
作者:孤城
IT 之家 1 月 14 日消息根據(jù)楚天都市報(bào)的報(bào)道,長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示,國家存儲器基地項(xiàng)目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)介紹,楊道虹表示,當(dāng)前以及今后一段時(shí)間他們目前的任務(wù)是如期達(dá)成月產(chǎn)能 10 萬片,在二期項(xiàng)目中將會達(dá)到 30 萬片/月產(chǎn)能。
根據(jù)之前的介紹,長江存儲科技有限責(zé)任公司早在 2018 年就公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking,該技術(shù)將大幅提升 NANDI/O速度到 3.0Gbps。
根據(jù)官方的說明,采用 Xtacking 技術(shù),可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝,以讓 NAND 獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的 Xtacking 技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬 VIA (Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。
現(xiàn)在,長江存儲已成功將 Xtacking 技術(shù)應(yīng)用于其第二代 3D NAND 產(chǎn)品的開發(fā),大規(guī)模量產(chǎn)之后,預(yù)計(jì)會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片。
楊道虹還透露稱,不僅 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),更高層的三維閃存產(chǎn)品研發(fā)也取得階段性成果,進(jìn)一步縮短了與國際龍頭企業(yè)的差距。
據(jù)悉,長江存儲科技有限責(zé)任公司于 2016 年 7 月 26 日在武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)登記成立,公司經(jīng)營范圍包括半導(dǎo)體集成電路科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā);集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)等。
總結(jié)
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