作者：孤城

　　IT 之家 1 月 14 日消息根據(jù)楚天都市報(bào)的報(bào)道，長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項(xiàng)目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　據(jù)介紹，楊道虹表示，當(dāng)前以及今后一段時(shí)間他們目前的任務(wù)是如期達(dá)成月產(chǎn)能 10 萬片，在二期項(xiàng)目中將會達(dá)到 30 萬片／月產(chǎn)能。

　　根據(jù)之前的介紹，長江存儲科技有限責(zé)任公司早在 2018 年就公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking，該技術(shù)將大幅提升 NANDI/O速度到 3.0Gbps。

　　根據(jù)官方的說明，采用 Xtacking 技術(shù)，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓 NAND 獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的 Xtacking 技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬 VIA (Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

　　現(xiàn)在，長江存儲已成功將 Xtacking 技術(shù)應(yīng)用于其第二代 3D NAND 產(chǎn)品的開發(fā)，大規(guī)模量產(chǎn)之后，預(yù)計(jì)會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片。

　　楊道虹還透露稱，不僅 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，更高層的三維閃存產(chǎn)品研發(fā)也取得階段性成果，進(jìn)一步縮短了與國際龍頭企業(yè)的差距。

　　據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司于 2016 年 7 月 26 日在武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)登記成立，公司經(jīng)營范圍包括半導(dǎo)體集成電路科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)；集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)等。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的国产SSD将迎来爆发，长江存储自主开发64层3D闪存已量产的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。