作者：上方文Q

　　1 月 16 日，長江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴年會(huì)，并在會(huì)前披露了閃存技術(shù)方面的一些新情報(bào)。

　　就在日前，長江存儲(chǔ)確認(rèn)自主研發(fā)的 64 層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成 10 萬片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成 30 萬片月產(chǎn)能

　　據(jù)長江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，長江存儲(chǔ) 64 層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一的，和友商 96 層閃存相比差距也在 10％ 之內(nèi)，并且絕非低端產(chǎn)品，質(zhì)量有保證，是可以保證盈利的。

　　接下來，長江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的 96 層，直接投入 128 層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作，但暫時(shí)沒有分享具體時(shí)間表。

　　2020 年，全球閃存行業(yè)將集體奔向 100+ 層，比如 SK 海力士已在近期出貨 128 層閃存并將在年底做到 176 層，三星有 128 層、136 層，西數(shù)、鎧俠(原東芝存儲(chǔ))都是 112 層但存儲(chǔ)密度更高，美光 128 層，Intel 則會(huì)做成 144 層。

　　長江存儲(chǔ)選擇直奔 128 層，無疑能進(jìn)一步縮小與行業(yè)先進(jìn)水平的差距，但挑戰(zhàn)性肯定也更大。

　　在技術(shù)創(chuàng)新層面，長江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的 Xtacking 堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問題，下一代的 Xtacking 2.0 也正在推進(jìn)中，會(huì)重點(diǎn)拓展性能、功能，也是直接上 128 層堆疊的重要保障。

　　據(jù)介紹，長江存儲(chǔ) Xtacking 架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，有利于選擇更先進(jìn)的邏輯工藝，提升閃存I/O接口速度、存儲(chǔ)密度，芯片面積也能減少約 25％。

　　當(dāng)兩片晶圓各自完工后，只需一個(gè)處理步驟，就可通過數(shù)百萬根垂直互聯(lián)通道(VIA)，將兩片晶圓鍵合在一起。

　　得益于并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，Xtacking 閃存的開發(fā)時(shí)間也可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期則可縮短 20％。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的长江存储：跳过96层 直接量产128层闪存的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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