20155335?2017-2018-1 《信息安全系統設計》第9周學習總結

本周的學習目標

• 了解常見的存儲技術（RAM、ROM、磁盤、固態硬盤等）
• 理解局部性原理
• 理解緩存思想
• 理解局部性原理和緩存思想在存儲層次結構中的應用
• 高速緩存的原理和應用

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• SRAM存儲器的雙穩態特性：只要有電，就能永遠保持它的值，在干擾后也能迅速恢復
• DRAM對干擾非常敏感,電容電壓被擾亂后就永遠不會恢復了。暴露在光線下會導致電容電壓改變。攝像傳感器本質上就是DRAM的陣列。
• DRAM和SRAM存儲器的特性對比：
  • 只要有供電SRAM就會保持不變，而DRAM由于很多原因導致的漏電，早10-100毫秒時間內失去電荷。
  • SRAM不需要刷新，DRAM由于會變化所以需要刷新
  • SRAM的存取比DRAM快
  • SRAM對光和電噪聲干擾不敏感，而DRAM對這些干擾非常敏感
  • SRAM單元比DRAM單元使用更多的晶體管，因而密集度低，而且價格貴，功耗更大

隨機訪問存儲器（RAM）分為兩類：靜態和動態的，其中靜態RAM(SRAM):快，作為高速緩存存儲器。（幾百幾千兆）

動態RAM(DRAM)：作為主存，圖形系統的幀緩沖區。（<=幾兆），靜態RAM：具有雙穩定狀態，它可以無期限地保持在兩個不同的電壓配置（狀態）其中的一個。也可以保持在亞穩定狀態，但這個狀態易被干擾。由于它具有雙穩定性，所以即使有干擾，當干擾消除時，它能很快地恢復到穩定值。

動態RAM
DRAM芯片封裝在內存模塊中，將每個位存儲為對一個電容充電。對干擾非常敏感，電容的電壓被干擾之后就永遠不會恢復了。

磁盤結構

• • 磁盤有若干盤片組成，密封在容器（磁盤驅動器）內；盤片中心有一個可以旋轉的主軸，使磁盤以一定的旋轉速率旋轉；每個盤片的兩個表面都有一組被稱為磁道的同心圓；每個同心圓由一些間隙分隔成一組等容量磁道（通常是512字節），間隙中存儲的是標識扇區的格式化位。
  • 磁盤連同密封裝置共同構成旋轉驅動器。注意：固態硬盤（SSD）是沒有旋轉部分的。
  • 磁盤上可以記錄的最大位叫做磁盤容量。決定因素有：記錄密度（磁道一英寸的段中可以放入的位數）；磁道密度（從盤片中心出發，半徑一英寸的段內可以有的磁道數）；面密度（前兩者乘積）

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總結

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