很快，臺積電和三星的 5nm 工藝即將量產(chǎn)，與此同時，臺積電和三星的 3nm 工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對于 5nm 及以下工藝來說，都必須依靠 EUV（極紫外）光刻機(jī)才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng) EUV 光刻機(jī)，那就是荷蘭的 ASML。

　　目前 ASML 出貨的 EUV 光刻機(jī)主要是 NXE:3400B 及改進(jìn)型的 NXE:3400C，兩者基本結(jié)構(gòu)相同，但 NXE:3400C 采用模塊化設(shè)計，維護(hù)更加便捷，平均維修時間將從 48 小時縮短到8-10 小時，支持 7nm、5nm。

　　此外，NXE:3400C 的產(chǎn)能也從之前的 125WPH（每小時處理晶圓數(shù)）提升到了 175WPH。

　　隨著去年臺積電、三星 7nm EUV 工藝的量產(chǎn)，對于 ASML 的 EUV 光刻機(jī)的需求也是快速增長。

　　根據(jù)今年 1 月 ASML 發(fā)布的 2019 年 Q4 季度及全年財報顯示，2019 年全年營收 118.2 億歐元，同比增長了8%，毛利率從 46% 小幅下滑到了 44.7%，全年凈利潤 25.92 億歐元，維持不變。

　　其中，僅在去年四季度，ASML 就出貨了 8 臺 EUV 光刻機(jī)，并收到了 9 臺 EUV 光刻機(jī)訂單。全年 EUV 光刻機(jī)訂單量達(dá)到了 62 億歐元，總計出貨了 26 臺 EUV 光刻機(jī)，比 2018 年的 18 臺有了明顯增長，使得 EUV 光刻機(jī)的營收占比也從 23% 提升到了 31%。要知道目前一臺 EUV 光刻機(jī)的價格可超過 1 億美元。

　　而隨著今年臺積電、三星 5nm 工藝的量產(chǎn)，則對于 EUV 光刻機(jī)的需求進(jìn)一步提高。根據(jù) ASML 預(yù)計，2020 年將會交付 35 臺 EUV 光刻機(jī)， 2021 年則會進(jìn)一步提高到 45 臺到 50 臺的交付量。

　　此外，針對后續(xù)更為先進(jìn)的 3nm、2nm 甚至是 1nm 工藝的需求，ASML 也針對性的規(guī)劃了新一代的 EUV 光刻機(jī) EXE:5000 系列。

　　據(jù)了解，EXE:5000 系列將物鏡系統(tǒng)的 NA（數(shù)值孔徑）提升到了 0.55（數(shù)字越大越好，上一代的 NXE:3400B/C的 NA 都是 0.33），可實現(xiàn)小于 1.7nm 的套刻誤差，產(chǎn)能也將提升至每小時 185 片晶圓以上，其主要合作伙伴是卡爾蔡司和 IMEC 比利時微電子中心。

　　根據(jù) ASML 公布的信息，EXE:5000 系列光刻機(jī)最快在 2021 年問世，不過首發(fā)的還是樣機(jī)，估計 2022 或者 2023 年左右才能夠量產(chǎn)交付給客戶。

　　而按照目前臺積電的和三星的進(jìn)度來看，今年會量產(chǎn) 5nm 工藝，而 3nm 工藝雖然目前已有突破，但是可能也要等到 2022 年才會量產(chǎn)。

　　按照三星的規(guī)劃，在 6nm LPP 之后，還有 5nm LPE、4nm LPE 兩個節(jié)點，隨后進(jìn)入 3nm 節(jié)點，分為 GAE（GAA Early）以及 GAP（GAA Plus）兩代。去年 5 月，三星的 3nm GAE 設(shè)計套件 0.1 版本已經(jīng)就緒，以幫助客戶盡早啟動 3nm 的設(shè)計，但是量產(chǎn)應(yīng)該要等到 2022 年以后了。

　　而臺積電的目標(biāo)也是在 2022 年量產(chǎn) 3nm 工藝。據(jù)了解，目前臺積電的 3nm 進(jìn)展順利，已經(jīng)開始與早期客戶進(jìn)行接觸。而臺積電新投資 6000 億新臺幣的 3nm 寶山廠也于去年通過了用地申請，將于今年正式動工。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的面向3nm及以下工艺，ASML新一代EUV光刻机曝光的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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