2019 年 Intel 超越三星，奪回了全球半導體市場的一哥地位，過去 27 年以來 Intel 在這個榜單上把持了 25 年之久。再下一步，Intel 還要在半導體技術上追上來，其 7nm 工藝晶體管密度就接近臺積電 3nm 工藝了，5nm 節點反超幾乎是板上釘釘了。

　　在半導體工藝節點的命名上，臺積電、三星兩家從 16/14nm 節點就有點跑偏了，沒有嚴格按照 ITRS 協會的定義來走了，將節點命名變成了兒戲，Intel 在這點上倒是很老實，所以吃虧不少，實際上他們的 10nm 節點晶體管密度就有 1 億/mm2，比三星、臺積電的 7nm 還要高一點。

　　在 10nm 走上正軌之后，Intel 宣布他們的半導體工藝發展將回到 2 年一個周期的路線上來，2021 年就會量產 7nm 工藝，首發高性能的 Xe 架構 GPU，2022 年會擴展到更多的 CPU 等產品中。

　　臺積電上周正式公布了 3nm 工藝的細節，該工藝晶體管密度達到了 2.5 億/mm2，預計在 2021 年進入風險試產階段，2022 年下半年量產。

　　那 Intel 7nm 及以下工藝的水平如何呢？現在還沒公布官方細節，不過Intel 從 22nm 工藝到 14nm 是 2.4x 縮放，14nm 到 10nm 是 2.7x 縮放，都超過了摩爾定律的 2x 工藝縮放水平。

　　Intel CEO 司睿博之前提到過 7nm 工藝會會到正常縮放，那至少是 2x 到 2.4x 縮放，意味著 7nm 工藝的晶體管密度將達到 2 億/mm2 到 2.4 億/mm2 之間。

　　這樣看來，如果是 2.4 億/mm2 的水平，那 Intel 的 7nm 工藝就能達到臺積電 3nm 工藝的水平，保守一點 2 億/mm2 的話，那也非常接近了。

　　別忘了，7nm 之后 Intel 還會進入 5nm 節點，時間點會在 2023 年，按照 Intel 的水平，至少也是 2x 縮放，那晶體管密度至少會達到 4 億/mm2，遠遠超過臺積電的 3nm 工藝水平，臺積電的 2nm 工藝在 2023 年之前應該沒戲的。

　　目前的計算還是理論性的，但是只要 Intel 的工藝路線重回正軌，先進工藝上追回來并不讓人意外，臺積電、三星并不能小覷半導體一哥的技術實力。

總結

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