IT之家6月1日消息今天早上據中國臺灣《經濟日報》消息，受華為事件沖擊，臺積電通知設備工廠，決定延后5nm擴建及3nm試產至明年第一季度，較原定時程延長兩季度。

臺積電的3nm工藝是5nm之后的下一代制程節點，官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達到2.5億/mm2，而5nm工藝是1.8億/mm2，資料顯示3nm性能較5nm提升7%，能耗比提升15%。

IT之家獲悉，臺積電評估工藝上多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。

但臺積電今天否認傳聞，表示一切按照計劃進行，3nm工藝如期在2021年Q1季度試產，2022年下半年正式量產。

總結

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