2019 年，中芯國際量產了國內最先進的 14nm 工藝制程，并已為華為麒麟 710A 處理器等進行代工。目前，中芯國際正在回歸A股上市，計劃募資 200 億元，主要就是投入 14nm 等先進工藝的開發。

　　6 月 7 日晚間，中芯國際在上交所公布了對第一輪審核問詢函的回復，僅用 4 天，創造了一個新紀錄，而在六大類、29 個問題中，最引人關注的當屬對于新工藝細節的披露。

　　中芯國際表示，14nm 晶圓代工產能正處于初期布局階段，因此全球份額相對較低，不過第一代 14nm FinFET 技術已進入量產階段，而且技術上處于國際領先水平，且具有一定的性價比，目前已同眾多客戶開展合作，預測產能利用率可以穩定保持在較高水平。

　　中芯國際透露，利用其先進 FinFET 技術在晶圓上所制成的芯片，已應用于智能手機領域。雖未進一步明確，但顯然指的就是華為麒麟 710A。

　　在下一代技術節點的開發上，全球純晶圓代工廠僅剩臺積電、中芯國際兩家，第二代 FinFET 技術目前已進入客戶導入階段，與第一代對比有望在性能上提高約 20% ，功耗降低約 60%。

　　中芯國際表示，14nm 及以下先進工藝主要應用于 5G 、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域，未來發展前景廣闊，而隨著相關應用領域持續發展，先進工藝的市場需求將持續上升，市場份額將不斷擴大，成為集成電路晶圓代工市場新的增長點。

　　根據招股書披露，中芯國際本次計劃發行不超過 16.86 億股新股，預計募資 200 億元人民幣，計劃分別投入中芯南方正在進行的 12 英寸芯片 SN1 項目（80 億元）、先進及成熟工藝研發項目儲備資金（40 億元）、補充流動資金（80 億元）。

　　其中，12 英寸芯片 SN1 項目是中國大陸第一條 14nm 及以下先進工藝生產線，規劃月產能為 3.5 萬片晶圓，目前已建成月產能 6000 片。

　　本次問詢中，中芯國際又對募集資金投資項目的風險進行了補充披露：12 英寸芯片 SN1 項目的總投資額為 90.59 億元美元，其中生產設備購置及安裝費達 733016 萬美元。

　　SN1 項目達產后將會貢獻額外的先進制程收入，但同時帶來較高的折舊成本壓力。 隨著 14 納米及下一代制程的產線投產、擴產， 公司一定時期內會面臨較大的折舊壓力，該部分業務毛利率可能會低于公司平均水平，存在經濟效益不達預期，甚至產生較大額度虧損的風險。

　　此外，中芯國際還對研發費用率遠高于同行的原因及合理性進行了說明。數據顯示，2019 年臺積電、中芯國際、聯華電子、華虹半導體的研發費用分別為 211 億元、47 億元、27 億元、4 億元，相應占營收比重分別為9%、22%、8%、7%。

　　中芯國際表示，為加強在先進制程方面的技術實力，公司不斷加大先進制程的研發投入，相繼實現了 28nm HKC+ 工藝、第一代 14nm FinFET 工藝的研發和量產，第二代 14nm FinFET 工藝的研發也在穩健進行中，并不斷拓展成熟工藝應用平臺，因此公司研發費用率高于可比上市公司。

總結

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