美光科技在 6 月 29 日（本周一）公布了第三季度的財(cái)報(bào)，美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 指出：“展望 2020 下半年的市場趨勢，有三個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)。首先，希望數(shù)據(jù)中心的前景廣闊；第二，希望智能手機(jī)和消費(fèi)者終端設(shè)備的銷售情況繼續(xù)改善，從而加速整個(gè)供應(yīng)鏈中的庫存消耗；第三，希望新的游戲機(jī)推動(dòng)更多的 DRAM 和 NAND 需求。”

　　最新的數(shù)據(jù)顯示，美光科技在 DRAM 的出貨量和 NAND ASP（平均售價(jià)）增長方面超過了其競爭對手三星和 SK Hynix。五年前，我國清華紫光擬收購美光科技以加強(qiáng) DRAM 和 NAND 閃存實(shí)力，但最終并未成功，到目前為止，DRAM 和 NAND 依然是我國缺少的關(guān)鍵半導(dǎo)體組件之一。

　　我國半導(dǎo)體存儲芯片的現(xiàn)狀如何？與美光科技等存儲芯片巨頭的差距還有多遠(yuǎn)呢？

　　國產(chǎn)芯片供需缺口較大

　　我國一直在努力減少對國外半導(dǎo)體制造公司的依賴，根據(jù)《中國大陸的半導(dǎo)體和設(shè)備市場：分析與制造趨勢》報(bào)告顯示， 2019 年我國在集成電路上的進(jìn)口 4451.3 億塊集成電路，同比增長 6.6%，進(jìn)口額為 3055.5 億美元，同比下降 2.1%。集成電路出口 2187 億塊，同比增長 0.7%，出口額為 1015.8 億美元，同比增長 20%。

　　目前，中國 OEM 廠商生產(chǎn)電子設(shè)備所需的半導(dǎo)體設(shè)備需求與中國內(nèi)部制造供應(yīng)之間在存在著較大的缺口，盡管中國自主制造的芯片數(shù)量逐年上漲，但需求量也逐年升高，預(yù)計(jì)到 2022 年供應(yīng)量達(dá)到 4 千億，需求量達(dá)到 7.5 億，供需差距 3.5 億片。

　　盡管在 2019 年受到貿(mào)易限制的影響，但中國的半導(dǎo)體進(jìn)口量增速不減，2020 年新冠疫情下，中國半導(dǎo)體進(jìn)口量的增長速度甚至更快。

　　在這樣的情況下，過去九個(gè)季度里中國的兩家制造存儲芯片公司，生產(chǎn) 3D NAND 的長江存儲技術(shù)（YMIC）和生產(chǎn) DRAM 的長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）分別購買了 30 億美元的生產(chǎn)設(shè)備。

　　國內(nèi)存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀

　　在中國的存儲芯片市場上，許多公司都在加緊部署新的晶圓廠，無論是從資金上，還是技術(shù)上，都馬力十足。

　　長鑫存儲

　　長鑫存儲的第一家晶圓廠已經(jīng)宣布了 19nm 技術(shù)的計(jì)劃，總產(chǎn)能 12 萬片/月，產(chǎn)能從兩萬片每月提升到三萬片，推遲了一年多，于 2019 年底開始生產(chǎn)。長鑫存儲計(jì)劃在其 Fab 1 附近再增加兩個(gè)晶圓廠。

　　此外，長鑫存儲也定下了下一步目標(biāo)，預(yù)計(jì)在未來2-3 年時(shí)間推進(jìn) LPDDR5 DRAM 產(chǎn)品開發(fā)，工藝升級到 17nm 以下。

　　長江存儲

　　長江存儲在武漢的第一個(gè)工廠是一座單層建筑，每月產(chǎn)能為 12 萬片晶圓。利用其全資子公司武漢新芯（XMC）現(xiàn)有的 12 英寸工廠，長江存儲于 2017 年成功設(shè)計(jì)并制造了首款 32 層 NAND 閃存芯片。

　　2019 年 9 月 2 日，長江存儲宣布 64 層 NAND 閃存芯片已投入生產(chǎn)，基于 Xtacking 架構(gòu)的 256Gb TLC 3D NAND 閃存已投入量產(chǎn) 。

　　2020 年 4 月 13 日，長江存儲宣布通過與多個(gè)控制器合作伙伴的合作，其 128 層 1.33Tb QLC 3D NAND 閃存芯片 X2-6070 通過了 SSD 平臺上的示例驗(yàn)證。

　　據(jù)悉，長江存儲的母公司清華紫光集團(tuán)計(jì)劃在武漢的第一家晶圓廠旁建造第二家晶圓廠，原定于 2020 底開始，但目前進(jìn)度已經(jīng)加快了。盡管清華紫光集團(tuán)沒有透露該工廠的年產(chǎn)能以及投資金額，但該公司正在考慮在十年內(nèi)對其 DRAM 業(yè)務(wù)進(jìn)行總計(jì) 8000 億元人民幣的投資。

　　重慶清華紫光

　　清華紫光集團(tuán)于 8 月 27 日宣布，已與重慶市政府簽署協(xié)議，成立研發(fā)中心和 DRAM 晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計(jì)于 2022 年完工，每月生產(chǎn) 10 萬片晶圓。該晶圓廠最初計(jì)劃于去年開始建設(shè)，但因?yàn)橘Q(mào)易限制以及新冠疫情而推遲了。

　　兆易創(chuàng)新

　　兆易創(chuàng)新于 2020 年 4 月宣布，計(jì)劃通過非公開發(fā)行新股籌集 43.2 億元人民幣，為進(jìn)軍 DRAM 存儲市場提供資金。除了自己的 DRAM 計(jì)劃，兆易創(chuàng)新還將投資長鑫存儲。

　　長江存儲 128 層 NAND 即將投入生產(chǎn)，僅落后美光兩個(gè)季度

　　2019 年，長鑫存儲的 DRAM 落后領(lǐng)先的 DRAM 制造商至少兩代，到 2021 年，長鑫存儲將落后美光、三星和 SK Hynix 三代。

　　2018 年，長江存儲的 32 層 NAND 落后世界領(lǐng)先的 NAND 制造商三代，但隨著長江存儲路線圖的加速，在 2020 年宣布推出了 128 層 NAND，計(jì)劃于 2020 年第四季度投入生產(chǎn)，這意味著長江存儲的新 NAND 將僅僅落后美光和 SK Hynix 兩個(gè)季度，與 Kioxia/Western Digital（WDC）112 層 NAND 不相上下。

　　值得一提的是，長江存儲的第二個(gè) NAND 晶圓廠的建設(shè)計(jì)劃將提前。長江存儲的 NAND 器件使用的是 DUV 浸沒式光刻技術(shù)制造，即便是沒有 ASML 的 EUV，也能夠生產(chǎn) 3D NAND 芯片。

　　因此，我們在追趕美光的過程中，并沒有太多設(shè)備上的障礙，這場存儲芯片追擊戰(zhàn)，有信心取得勝利。

　　雷鋒網(wǎng)(公眾號：雷鋒網(wǎng))小結(jié)

　　我國本土的存儲芯片制造企業(yè)雖然數(shù)量少、規(guī)模小、產(chǎn)品技術(shù)也較領(lǐng)先企業(yè)落后一些，但長江存儲、長鑫存儲的發(fā)展勢頭迅猛，陸續(xù)修建新的晶圓廠，開發(fā)出新的產(chǎn)品，這讓我們有理由相信，中國的 DRAM 和 NAND 存儲芯片終有一日能夠突出重圍，同美光科技等存儲芯片公司展開競爭。

　　2020 年 8 月 7 日至 8 月 9 日，2020 年全球人工智能與機(jī)器人大會（CCF-GAIR 2020）將在深圳隆重舉行，今年的主題是 AI 新基建產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇，設(shè)置了針對新基建學(xué)術(shù)的 AI 前沿專場、機(jī)器人前沿專場、聯(lián)邦學(xué)習(xí)專場 3 大專場，針對新基建產(chǎn)業(yè)的 AI 芯片專場、智能駕駛專場、AIoT 專場等的 11 大專場。AI 芯片專場的學(xué)術(shù)大咖和重要企業(yè)技術(shù) VP 將共同探討如何用創(chuàng)新的指令集、架構(gòu)以及商業(yè)模式抓住新基建給 AI 芯片帶來的絕佳機(jī)遇。

　　2020 年 8 月 7 日至 8 月 9 日，2020 年全球人工智能與機(jī)器人大會（CCF-GAIR 2020）將在深圳隆重舉行，今年的主題是 AI 新基建產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇，設(shè)置了針對新基建學(xué)術(shù)的 AI 前沿專場、機(jī)器人前沿專場、聯(lián)邦學(xué)習(xí)專場 3 大專場，針對新基建產(chǎn)業(yè)的 AI 芯片專場、智能駕駛專場、AIoT 專場等的 11 大專場。AI 芯片專場的學(xué)術(shù)大咖和重要企業(yè)技術(shù) VP 將共同探討如何用創(chuàng)新的指令集、架構(gòu)以及商業(yè)模式抓住新基建給 AI 芯片帶來的絕佳機(jī)遇。

　　詳細(xì)信息請查看官網(wǎng)。

　　本文編譯自 https://seekingalpha.com/article/4356649-micron-technology-china-competitors-stepping-on-accelerator-pedal

　　封面圖來自長江存儲官網(wǎng)

總結(jié)

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