内存时序是什么?对性能影响有多大?终于懂了
說起內存參數,大家肯定多知道容量、頻率,甚至是電壓、顆粒來源等,但和頻率一樣決定了內存性能高低的時序(也常說延遲),卻往往容易被忽視。
今天,影馳就內存時序做了一個簡單的科普,一起來了解下。
內存頻率是一個數字,而內存時序則是一大串數字,最常用的就有4個,表述的時候中間用破折號隔開,例如16-18-18-38。
當然了,這個處理時間越短,內存性能越好。
內存時序4個數字對應的參數分別為CL、tRCD、tRP、tRAS,單位都是時間周期,也就是一個沒有單位的純數字。
看完感覺更懵圈了?沒關系,給你舉個例子。
我們可以把內存存儲數據的地方想象成下面這樣,每個方格都存儲著不同的數據。CPU需要什么數據,就向內存發來相應的指令,比如想要的位置是C4。
由于每一行都有多個數據,內存并不能哪一個才是CPU需要找的,所以tRCD只是一個估值,這也就是為什么小幅改動這個數值,并不會顯著改變內存的性能。
行列必然產生交點,也就是說確定了行數和列數之后,就能準確找到目標數據,所以CL是一個準確的值,任何改動都會影響目標數據的位置,所以它在時序當中是最關鍵的一個參數,對內存性能的發揮著舉足輕重的作用。
所以,在保障穩定性的前提下,內存時序越低越好,而高頻率和低時序是個矛盾體,一般頻率上去了,時序就得有所犧牲,要想足夠低的時序,頻率又很難拔高。
那么,時序對內存性能的影響到底有多大呢?
我們做了一個測試,保持內存頻率不變,可以看到,內存的性能隨著時序的變小而不斷變強。
另外,時序改變后,內存延遲的變化比內存讀寫速度的變化更加明顯,這也說明時序對內存的影響,更側重在延遲方面。
現在,你懂了嗎?
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總結
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