神速 台积电2nm制程研发取得重大突破:将切入GAA技术
7月13日消息,據(jù)臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。
臺媒稱,三星已決定在3nm率先導入GAA技術,并宣稱要到2030年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā),并獲得技術重大突破,成功找到切入GAA路徑。
臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發(fā)工程師全心投入。
臺積電今年4月曾表示,3nm仍會沿用FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,主要考慮是客戶在導入5nm制程后,采用同樣的設計即可導入3nm制程,可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品 。
臺積電成立于1987年,是全球最大的晶圓代工半導體制造廠,客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學工業(yè)園區(qū)。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市,股票代碼為2330,另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易,股票代號為TSM。
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總結(jié)
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