7月13日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。

臺(tái)媒稱，三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過(guò)臺(tái)積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。

臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。

臺(tái)積電今年4月曾表示，3nm仍會(huì)沿用FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，主要考慮是客戶在導(dǎo)入5nm制程后，采用同樣的設(shè)計(jì)即可導(dǎo)入3nm制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競(jìng)爭(zhēng)力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品 。

臺(tái)積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠，客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺(tái)灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。臺(tái)積電公司股票在臺(tái)灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國(guó)存托憑證在美國(guó)紐約證券交易所掛牌交易，股票代號(hào)為TSM。

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總結(jié)

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