神速 台积电2nm制程研发取得重大突破:将切入GAA技术
7月13日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around,簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。
臺(tái)媒稱,三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù),并宣稱要到2030年超過(guò)臺(tái)積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā),并獲得技術(shù)重大突破,成功找到切入GAA路徑。
臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發(fā)工程師全心投入。
臺(tái)積電今年4月曾表示,3nm仍會(huì)沿用FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù),主要考慮是客戶在導(dǎo)入5nm制程后,采用同樣的設(shè)計(jì)即可導(dǎo)入3nm制程,可以持續(xù)帶給客戶有成本競(jìng)爭(zhēng)力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品 。
臺(tái)積電成立于1987年,是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠,客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺(tái)灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。臺(tái)積電公司股票在臺(tái)灣證券交易所上市,股票代碼為2330,另有美國(guó)存托憑證在美國(guó)紐約證券交易所掛牌交易,股票代號(hào)為TSM。
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總結(jié)
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