华为强势挖角 5nm光刻机两年内量产?细思恐极
今年5月15日,美國針對華為推出了新的出口管制措施,禁止華為使用美國的EDA軟件來設(shè)計(jì)芯片,同時(shí)晶圓代工廠也無法使用美國的半導(dǎo)體設(shè)備來為華為生產(chǎn)芯片。因此,華為的芯片設(shè)計(jì)和芯片制造都陷入了巨大的困境。
近日,臺積電在法說會上也公開表示,在美國給出的120天的寬限期過后(9月14日之后),臺積電將不再為華為代工芯片。同此外,中芯國際也曾在其招股書中表示,未來將無法用美國的半導(dǎo)體設(shè)備為華為代工芯片。而且,臺積電和三星都曾表態(tài),不會為華為建不含美系設(shè)備的產(chǎn)線。
那么華為要如何解決自研芯片的制造問題?自建不含美系設(shè)備的芯片產(chǎn)線或成為一種可能。
其實(shí),在我們之前的文章《華為會自建晶圓廠嗎?EDA怎么辦?》當(dāng)中,我們就有提到,從上個月開始,華為就有從很多設(shè)備廠商挖一些相關(guān)人才。
上周,一位半導(dǎo)體設(shè)備廠商內(nèi)部人士向我們爆料稱,“華為近期搞到了上海的幾家半導(dǎo)體設(shè)備廠商的員工通訊錄,挨個打了電話。我們公司,除了總經(jīng)理,基本上都接到了華為的電話。我有同事就被挖走了,而且是直接放下了手中的重要項(xiàng)目,直接走了。”
華為的強(qiáng)勢挖人戰(zhàn)術(shù)甚至惹惱了不少國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的老總。“SMEE(上海微電子)的老總都到上海市政府領(lǐng)導(dǎo)那里去投訴了。”一位半導(dǎo)體設(shè)備廠商內(nèi)部人士向我們吐槽到。
近日,我們再次采訪相關(guān)設(shè)備廠商業(yè)內(nèi)人員時(shí),對方向我們表示,“前段時(shí)間華為電話打得比較密集,近期沒什么動靜了,應(yīng)該是招到了不少人。上次SMEE的老總都鬧到了工信部,因?yàn)槿A為‘挖墻腳’搞得他們家02專項(xiàng)都要完不成了。”
顯然,從這些方面的消息來看,華為似乎是真的是要涉足半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。
不過,一位被華為招募的半導(dǎo)體設(shè)備廠商員工表示,“華為沒有直接說要做設(shè)備,可能是要搭建不含美系設(shè)備的產(chǎn)線”。
但是就在上周,我們參與華為內(nèi)部的一個座談會時(shí),華為內(nèi)部的一位發(fā)言人卻表示,“華為不會自建產(chǎn)線。”
至于原因,主要有以下幾個方面:首先,華為一直都有強(qiáng)調(diào),其只會聚焦于自己的核心能力;其次,晶圓制造需要巨大的資金投入,一座先進(jìn)晶圓廠的投入,動輒需要上百億美元,比如臺積電計(jì)劃在美國建設(shè)的5nm晶圓廠,預(yù)計(jì)的投資就高達(dá)120億美元;第三,晶圓代工領(lǐng)域需要長期的技術(shù)積累和投入,不論是臺積電還是三星,其在晶圓制造領(lǐng)域都已深耕了數(shù)十年才有今天地位;第四,晶圓制造是一項(xiàng)非常復(fù)雜工作,不論是三星還是臺積電,都是依靠全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商、材料廠商的配合才得以有今天的成功。
確實(shí),卡住華為自研芯片制造的并不是單單是產(chǎn)線本身,而是產(chǎn)線所需的一系列的關(guān)鍵的半導(dǎo)體設(shè)備。特別是在先進(jìn)制程的芯片制造產(chǎn)線上,可能很難離開美國半導(dǎo)體設(shè)備。(雖然低端制程的產(chǎn)線可能比較容易實(shí)現(xiàn)去美化,但是對于華為來說實(shí)際意義不大。)所以,現(xiàn)在來談自建產(chǎn)線還為時(shí)尚早,首先需要解決的問題是,如何實(shí)現(xiàn)所有芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)的設(shè)備都能夠不被美國卡脖子。
但是,華為真的準(zhǔn)備自己來做半導(dǎo)體設(shè)備了嗎?半導(dǎo)體設(shè)備種類繁多,華為不可能所有的都自己來做,即使是只做那些可能會被美國卡住的半導(dǎo)體設(shè)備,僅憑華為一家企業(yè)也搞不定,而且那樣也將會使得華為完全偏離了現(xiàn)在的主業(yè)。所以,如果真的要做設(shè)備,只會做最為核心的卡脖子的設(shè)備。
事實(shí)上,晶圓制造整個環(huán)節(jié)需要:氧化爐、涂膠顯影設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、薄膜沉積設(shè)備(包括PVD、CVD、ALD等)、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、清洗機(jī)、晶圓檢測設(shè)備等。此外,在IC封測環(huán)節(jié)還需要經(jīng)過切割、裝片、焊線、封裝等環(huán)節(jié),也需要很多的設(shè)備。可以說,任何一個設(shè)備環(huán)節(jié)被卡住,所有的努力就將付諸東流。
我們此前曾在《為華為打造無美系設(shè)備的產(chǎn)線,臺積電三星能做到嗎?》一文當(dāng)中就有詳細(xì)介紹美國廠商在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的強(qiáng)勢地位。根據(jù)美國的半導(dǎo)體行業(yè)調(diào)查公司VLSI Research發(fā)布的按銷售額排名的2019年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商來看,依然是美國應(yīng)用材料排名第一,泛林半導(dǎo)體排名第四、科磊排名第五,此外,美國的泰瑞達(dá)也是全球前十的半導(dǎo)體設(shè)備廠商。
以半導(dǎo)體設(shè)備市場排名第一的美國應(yīng)用材料公司為例,2018年應(yīng)用材料在沉積設(shè)備領(lǐng)域的份額為38%。另外有數(shù)據(jù)顯示,在全球 PVD(Physical Vapor Deposition)設(shè)備市場,應(yīng)用材料擁有近 55%的份額,在全球 CVD(ChemicalVaporDeposition)設(shè)備市場份額也達(dá)到了近 30%;在CMP市場,應(yīng)用材料份額更是高達(dá)70%;在離子注入機(jī)市場,應(yīng)用材料的市場份額也高達(dá)70%。
在刻蝕設(shè)備市場,泛林半導(dǎo)體也有著極高的市場份額。根據(jù)2017年的全球銷售額來看,泛林半導(dǎo)體占全球刻蝕設(shè)備45%的市場份額,排名全球第一,其中導(dǎo)體刻蝕約占全球50%以上的市場份額,全球第一;介質(zhì)刻蝕約占全球20%以上的市場份額,全球第二;CVD約占全球市場20%左右的市場份額,全球第三。
在全球半導(dǎo)體前道檢測設(shè)備市場,美國的科磊、應(yīng)用材料也排在前列。根據(jù) 2018 年 SEMI 數(shù)據(jù),科磊在全球半導(dǎo)體前道檢測設(shè)備市場占比高達(dá)52%、穩(wěn)居行業(yè)第一,堪稱半導(dǎo)體檢測設(shè)備領(lǐng)域王者,其次是應(yīng)用材料占比12%,這兩家美國廠商市占率合計(jì)達(dá)到64%。
雖然目前國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在刻蝕機(jī)、PVD、CVD、清洗機(jī)、氧化/退火設(shè)備等方面,已經(jīng)可以進(jìn)行一些國產(chǎn)替代(主要還是集中在28nm及以上制程),但要想在14nm/7nm制程上完全避開美國的半導(dǎo)體設(shè)備難度極高。
△以長江存儲2017Q4-2019年招標(biāo)設(shè)備中標(biāo)數(shù)據(jù)作為參考(長江存儲已量產(chǎn)的64層3D NAND采用的是應(yīng)該是38nm制程)
另外,在半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備——光刻機(jī)市場,目前全球光刻機(jī)市場主要被ASML、佳能以及尼康所壟斷,這這三家供應(yīng)商占據(jù)了全球99%的市場。其中ASML 在高端市場一家獨(dú)大,且是全球唯一的EUV 光刻機(jī)供應(yīng)商。
而中國的國產(chǎn)光刻機(jī)廠商上海微電子目前最先進(jìn)的還是90nm,其傳聞中的28nm光刻機(jī)等到2021-2022年才能交付。但是要想造出能夠生產(chǎn)華為目前所需的7nm/5nm制程芯片的光刻機(jī),則更是困難重重。
7月21日,網(wǎng)上出現(xiàn)了兩則關(guān)于華為將自研光刻機(jī)的傳聞。
一則是微博上一位數(shù)碼博主發(fā)布傳聞稱,華為成立了光刻機(jī)部門,將自研光刻機(jī),前期評估5nm光刻機(jī)將兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。(這里所說的5nm光刻機(jī),指的是能夠生產(chǎn)5nm芯片的光刻機(jī))
另外一則傳聞則稱,華為集合了數(shù)萬人,封閉研發(fā),每天工作12-16小時(shí),爭取兩年內(nèi)實(shí)現(xiàn)14nm光刻機(jī)的導(dǎo)入。
這兩則傳聞?wù)б豢创_實(shí)挺令人振奮的。但是實(shí)際上這兩則傳聞確實(shí)非常的夸張,可信度很低。特別是第一則傳聞,更是扯淡。
而之所以有這樣的傳聞,則可能與近日網(wǎng)上曝光的華為招聘“光刻工藝工程師”的招聘信息有關(guān)。
但是,如果仔細(xì)看招聘信息的內(nèi)容的話,可以看出,這個“光刻工藝工程師”職務(wù)要求主要還是與芯片制造相關(guān),跟研發(fā)光刻機(jī)沒半毛錢關(guān)系。
不過,今天倒是有網(wǎng)友翻出了華為在2016年申請的一項(xiàng)名為“一種光刻設(shè)備和光刻系統(tǒng)”的PCT專利。由此也使得很多網(wǎng)友認(rèn)為,華為可能早在2016年就已經(jīng)開始研發(fā)光刻機(jī)了。
▲圖片來源:@數(shù)碼獸
但是,即使2016年華為有申請與光刻機(jī)相關(guān)的專利,也并不代表當(dāng)時(shí)華為就已經(jīng)開始自研光刻機(jī),這完全是兩個概念。因?yàn)橛行r(shí)候一個不錯的想法就能夠去申請專利,但是從專利到實(shí)際的設(shè)備,還差著十萬八千里。
此外,我們通過查詢相關(guān)資料發(fā)現(xiàn),這項(xiàng)名為“一種光刻設(shè)備和光刻系統(tǒng)”的PCT專利的發(fā)明人弗洛里安·朗諾斯似乎也并不光刻機(jī)技術(shù)方面的專家。因?yàn)椋?016年的這項(xiàng)與光刻機(jī)相關(guān)的專利之外,弗洛里安·朗諾斯自2017年以來作為發(fā)明人的由華為申請的專利則全部與內(nèi)存及存儲技術(shù)相關(guān),再也沒有了與光刻機(jī)相關(guān)的專利。
同樣,我們通過度衍專利檢索平臺,以“光刻”二字作為關(guān)鍵詞,檢索華為在國內(nèi)已公布的所有相關(guān)專利,但是很遺憾,只有前面那一項(xiàng)名為“一種光刻設(shè)備和光刻系統(tǒng)”的專利。
此外,我們也登陸了歐洲專利數(shù)據(jù)庫(espacenet.com)以“光刻”( photoetching)作為專利的標(biāo)題或簡介的關(guān)鍵詞,檢索了華為所有在歐洲專利局注冊的專利,雖然有返回兩個結(jié)果,但是實(shí)際上也與光刻機(jī)沒有任何關(guān)系。
此外我們還檢索了photolithographic process、photolithography等關(guān)鍵詞,也是一樣沒有發(fā)現(xiàn)一件與光刻機(jī)研發(fā)相關(guān)的專利。
顯然,如果華為早在2016年就已經(jīng)開始自研光刻機(jī)的話,那么這四年來必然會在國內(nèi)外申請一系列與光刻機(jī)相關(guān)的技術(shù)專利,但是很可惜,自始至終也只有前面提到的那一項(xiàng)專利。
所以,基本可以肯定,華為在今年之前并未真正展開過對于光刻機(jī)的研發(fā)。
作為對比,我們可以來看看ASML和上海微電子的相關(guān)專利數(shù)據(jù)。
根據(jù)公開的信息顯示,截至2018年初,ASML在全世界范圍內(nèi)約有12000件專利和專利申請,在中國的專利申請達(dá)到1326件。并且?guī)缀跛械膶@性诠饪虣C(jī)及其零部件上。而ASML當(dāng)時(shí)的員工就有160000人,其中大部分都是研發(fā)人員。這也足見先進(jìn)光刻機(jī)研發(fā)需要的人才投入。
至于上海微電子,目前員工數(shù)量大概在1000人左右,截止2020年5月,上海微電子(SMEE)所持有的各類專利以及專利申請數(shù)量已經(jīng)超過3632項(xiàng)。但是與ASML相比仍是差距巨大。
前面我們提到,目前全球光刻機(jī)市場99%的市場都被ASML、尼康和佳能這三大巨頭所占據(jù)。而這個市場格局是經(jīng)過了數(shù)十年市場競爭才最終形成的。
早在1970年,佳能就推出了首款半導(dǎo)體光刻機(jī)PPC-1,今年是這款光刻機(jī)發(fā)售50周年。1980年代,尼康也開始進(jìn)入半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,至今也有了40年的光刻機(jī)研發(fā)歷史。現(xiàn)在光刻機(jī)市場的老大ASML在1984年就成立了,至今也有了36年光刻機(jī)研發(fā)歷史。
△1970年佳能生產(chǎn)的日本首臺半導(dǎo)體光刻機(jī)PPC-1
可以看到,目前光刻機(jī)市場的三大巨頭在光刻機(jī)領(lǐng)域無一不是經(jīng)歷了持續(xù)數(shù)十年的研發(fā)和市場競爭才有了今天的地位。而ASML之所以能夠成為EUV光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商,也離不開臺積電、三星、Intel等晶圓制造巨頭多年來,給錢、給訂單、免費(fèi)當(dāng)“小白鼠”式的鼎力支持。
即便是國產(chǎn)光刻機(jī)龍頭上海微電子,其自2002年成立至今也有了近20年的光刻機(jī)研發(fā)歷史,但是其目前最新的90nm光刻機(jī)也僅僅是ASML十多年前的水平。顯然,通過上面的介紹我們可以看出,光刻機(jī)的研發(fā)的是需要長期的技術(shù)積累的,不可能一蹴而就。
△上海微電子90nm光刻機(jī)
那么研發(fā)光刻機(jī),到底有多難呢?上海微電子總經(jīng)理賀榮明曾表示:“SMEE最好的光刻機(jī)(90nm分辨率的光刻機(jī)),包含13個分系統(tǒng),3萬個機(jī)械件,200多個傳感器,每一個都要穩(wěn)定。像歐洲冠軍杯決賽,任何一個人發(fā)揮失常就要輸球。”
而ASML的EUV光刻機(jī)則擁有超過10萬個零件,更是極為復(fù)雜,對誤差和穩(wěn)定性的要求極高,并且這些零件幾乎都是定制,90%零件都采用的是世界上最先進(jìn)技術(shù),甚至一些接口都要工程師用高精度機(jī)械進(jìn)行打磨,尺寸調(diào)整次數(shù)更可能高達(dá)百萬次以上。
可以說,光刻機(jī)是一套集合全球最先進(jìn)技術(shù)的精密系統(tǒng),不論是ASML、佳能、尼康,其光刻機(jī)的很多核心部件則都是由全球各地的供應(yīng)商所提供的。
資料顯示,在AMSL的EUV光刻機(jī)的10萬個零配件當(dāng)中,其中有8萬多個精密零件來自全球40多個國家,而其核心零部件則主要來自于歐美日韓以及中國臺灣。比如,ASML的光刻機(jī)的光學(xué)鏡頭來自德國蔡司,光源技術(shù)來自美國的Cymer(已被ASML收購),最新的EUV光刻機(jī)的光源則來德國Trumpf。
但是,由于瓦森納協(xié)定的存在,像EUV光刻機(jī)及其核心部件這些掌握在歐美廠商手中的尖端設(shè)備和技術(shù)是禁止對中國出口的。此前中芯國際花1.2億美元訂購的ASML EUV光刻機(jī)就被美國和荷蘭政府阻撓無法發(fā)貨。
所以,對于華為來說,如果真的要自研出可以供自己使用的高端光刻機(jī),其最大的難點(diǎn)并不組裝出一臺高端光刻機(jī),而是搭建起一條不被美國卡住脖子的高端光刻機(jī)供應(yīng)鏈。
從我們前面介紹的華為到上海微電子等設(shè)備廠商挖人的消息來看,華為確實(shí)有自研光刻機(jī)的可能性存在,但是要說兩年內(nèi)就能實(shí)現(xiàn)能夠生產(chǎn)14nm甚至是5nm芯片的光刻機(jī)的量產(chǎn),這個就明顯太過于夸大了。
首先,如果要制造5nm及更先進(jìn)制程的芯片,就必須要用到EUV光刻機(jī)。而EUV光刻機(jī)研發(fā)難度有多高,前面的介紹大家應(yīng)該有了一定了解。華為要自研EUV光刻機(jī),就必須要繞過ASML的龐大的專利體系。
其次,除了技術(shù)和專利上的難度之外,如何搭建起一條不被美國卡住脖子的高端光刻機(jī)供應(yīng)鏈才是更大的難題。前面提到,即便是強(qiáng)大ASML,其EUV光刻機(jī)的80%的零部件也都是由全球供應(yīng)商供應(yīng)的,主要來自歐美日韓及中國臺灣。但是由于瓦森納協(xié)定的存在,ASML的EUV光刻機(jī)的很多核心零部件供應(yīng)商是不太可能向華為供貨的。而目前國內(nèi)的光刻機(jī)核心零部件供應(yīng)商的產(chǎn)品在性能與精度上與國外還是有著較大的差距。
所以,華為即使決定自研光刻機(jī),其也仍然面臨著很多核心零部件供應(yīng)上受限的難題。難道,華為又要去自研光刻機(jī)所需的所有可能受到美國限制的核心零部件?這顯然不太現(xiàn)實(shí)。
那么問題來了!作為一家從未涉足過光刻機(jī)研發(fā)領(lǐng)域的企業(yè),現(xiàn)在才組建團(tuán)隊(duì),兩年后就能繞過ASML的專利,解決數(shù)萬中尖端零部件的供應(yīng)問題,造出能生產(chǎn)5nm芯片的EUV光刻機(jī),超越佳能、尼康等老牌光刻機(jī)廠商,打破ASML的壟斷?就因?yàn)檫@家企業(yè)是華為,所以就沒有什么不可能?
當(dāng)然這里并不是說,華為下定決心來研發(fā)光刻機(jī),就一定無法成功,而是說華為兩年內(nèi)根本無法實(shí)現(xiàn)可以生產(chǎn)5nm芯片的光刻機(jī)的量產(chǎn)。
那么華為如果自研DUV光刻機(jī),有可能在兩年內(nèi)實(shí)現(xiàn)14nm光刻機(jī)的導(dǎo)入嗎?對于這則傳聞,確實(shí)有一定的可能性,但是可能性比較低。
雖然DUV光刻機(jī)相比EUV光刻機(jī)難度降低了很多,但是還是那句話,對于從未涉足過光刻機(jī)研發(fā)領(lǐng)域的華為來說,要想繞過更為成熟的DUV光刻機(jī)市場的佳能、尼康、ASML等巨頭的專利,并且解決光刻機(jī)所需的數(shù)萬個零部件的供應(yīng)問題,兩年內(nèi)就能出成果,這種可能性很低。
要知道已經(jīng)在光刻機(jī)領(lǐng)域深耕近20年上海微電子,其目前最先進(jìn)仍是90nm光刻機(jī),而其傳聞中的28nm分辨率的光刻機(jī)也要等到2021-2022年才能交付。如果,上海微電子這么容易就被剛?cè)胄械娜A為反超,難道上海微電子的人都是吃干飯的?既然如此,華為為什么還要去上海微電子大量的挖人?
另外需要指出的是,上海微電子研發(fā)中的28nm分辨率的光刻機(jī)可以用于14nm芯片的生產(chǎn),多次曝光情況下,甚至可以生產(chǎn)12nm的芯片。既然兩年內(nèi),上海微電子的可以生產(chǎn)14nm芯片的光刻機(jī)就能出來,為何華為不選擇與上海微電子合作,卻要挖墻腳,另起爐灶自己來做光刻機(jī)?這顯然風(fēng)險(xiǎn)更大。
我們都知道,一款華為旗艦手機(jī)從立項(xiàng)到量產(chǎn)也都要一年多,甚至兩年的時(shí)間。即使華為真的準(zhǔn)備自研光刻機(jī),也是需要巨大的資金、人才投入和長期的研發(fā)積累才能實(shí)現(xiàn)。為什么會有人會認(rèn)為,才剛剛開始組建團(tuán)隊(duì)的華為,僅僅用兩年就能自研出光刻機(jī),而且還能達(dá)到甚至超過佳能、尼康、上海微電子等老牌光刻機(jī)廠商的水平,難道光刻機(jī)的研發(fā)難度只是與一款旗艦手機(jī)相當(dāng)?
根據(jù)我們得到的消息來看,華為目前確實(shí)有去很多半導(dǎo)體設(shè)備廠挖人,比如國產(chǎn)光刻機(jī)廠商上海微電子就被挖走了不少人,從這方面來看,華為確實(shí)有可能計(jì)劃自研光刻機(jī)。
但是,即便華為現(xiàn)在開始自研光刻機(jī),要想兩年內(nèi)推出能夠生產(chǎn)5nm芯片的光刻機(jī),可能性極低。如果將時(shí)間周期再放長個幾年,倒是可能性更大一些。
不過,即使未來華為的自研光刻機(jī)能夠獲得成功,其依然還是需要與眾多的非美系半導(dǎo)體設(shè)備廠商進(jìn)行協(xié)作,才有可能搭建出一條不含美系設(shè)備的先進(jìn)制程產(chǎn)線。因?yàn)楣饪讨皇切酒圃毂姸嚓P(guān)鍵環(huán)節(jié)中的一個,華為不可能把所有可能被美國卡住的半導(dǎo)體設(shè)備全都自研了。
可能不少網(wǎng)友覺得,只要華為下定決心去自研,沒有什么不可能的!好吧,就算華為能力超強(qiáng),憑借一己之力能夠把所有美國能卡住的半導(dǎo)體設(shè)備都自研了,都突破了,但是如果這個時(shí)候,美國又來禁半導(dǎo)體材料呢?難道華為又要去自己造半導(dǎo)體材料?
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