據曝料，今年底合肥長鑫的產能就有可能超過7萬片晶圓/月，這意味著他們未來有望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。此外，預計長鑫存儲將在2021年推出17nm工藝DRAM芯片。

根據TrendForce公布的2020年二季度全球DRAM內存芯片市場數據顯示，三星、SK海力士、美光這前三家DRAM大廠占據了全球市場94.6%的份額。排名第四的則是南亞科技，市場份額僅3.2%，其他的廠商份額均不到1%。

顯然，在內存芯片市場，頭部的三家大廠已經形成了強勢的壟斷地位，留給其他廠商的空間非常小。

不過，目前國產DRAM廠商合肥長鑫的產能正在快速拉升，預計今年底合肥長鑫的產能就有可能超過7萬片晶圓/月。

根據了解到的信息顯示，目前南亞科技的DRAM產能大約在7.1萬片/月。這也使得合肥長鑫有望挑戰南亞科技成為全球第四大DRAM廠商。當然，這只是從產能上來看，畢竟產能不等于實際出貨。

資料顯示，目前長鑫量產的主要是19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，獲得了光威、威剛科技、江波龍FORESEE等存儲品牌廠商的采用。

不過，在DRAM技術上，長鑫存儲相比三星等一線DRAM廠商的技術要落后2-3年時間，所以快速提升技術水平也是長鑫存儲在DRAM市場站穩腳跟的關鍵。

根據今年7月初，安徽省發布的《重點領域補短板產品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》文件顯示，希望2-3年內解決一些關鍵技術瓶頸，其中在內存技術方面，要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發，要面向中高端移動、平板及消費類產品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發先進低功耗高速率LPDDR5 產品并實現產業化，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關高速接口技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源（電壓）技術、片內糾錯編碼（On-Die ECC）技術，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發。

而目前國內已經實現量產的DRAM內存芯片的國產廠商只有長鑫存儲，而且長鑫存儲也正是位于安徽省會合肥的企業，顯然，這份文件上所提出的內存技術攻關要求，也正是針對長鑫存儲提出的。

而根據最新的信息顯示，長鑫預計將在2021年完成17nm工藝DRAM芯片的研發，看來長鑫存儲的進度正在進一步加快。

此前曝光的長鑫存儲的路線圖也顯示，接下來將會推出，基于10G3工藝的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5，還將推出基于10G5工藝的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。這里的10G3工藝應該指的就是17nm工藝。

此外，在專利布局上，長鑫存儲擁有奇夢達留下的1000多萬份關于DRAM技術文件及2.8TB數據，這也是長鑫存儲最初的技術來源之一。

去年12月，長鑫存儲與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯合宣布，就原內存制造商奇夢達開發的DRAM內存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議。依據專利許可協議，長鑫存儲從Polaris獲得了大量DRAM技術專利的實施許可，而這些專利來自Polaris于2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。

今年4月，長鑫存儲又與美國半導體公司Rambus Inc.（“藍鉑世”）簽署了專利許可協議，獲得了大量的DRAM技術專利。根據雙方的協議，長鑫存儲從藍鉑世獲得了大量DRAM技術專利的實施許可。

在DRAM的制造中以電容定義的方法區分，主要分為堆棧式（Stack）和深溝槽式（Trench）電容器兩大類型。溝槽式DRAM的電容在柵極下方，堆棧式DRAM的電容器則在柵極上方，是這兩種DRAM最大的差異。

在溝槽式DRAM的制造中，必須先在基板蝕刻出溝槽，然后在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器，然后在電容器上方再制造出柵極，構成完整的DRAM Cell。

溝槽式DRAM工藝最大的技術挑戰有三點：一是隨著制程工藝的持續推進，線寬越來越細，溝槽的寬深比跟著增加，如何蝕刻出這種溝槽，是相當大的技術挑戰；其次，在進行沉積工藝時，由于溝槽的開口越來越細，要在溝槽里面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器，也越來越難；第三，隨著采用埋入式字線結構的動態隨機存儲芯片的制程微縮，字線的結構也在不斷縮小，同時電子遷移率衰減和飽和速度限制了驅動電流的提高，器件性能的改善變得非常困難。

相較之下，堆棧式DRAM則沒有上述問題。因此隨著工藝節點越往前推進，溝槽式DRAM的采用者越來越少。這也意味著長鑫存儲的DRAM工藝節點由目前的19nm推進到17nm甚至更先進的制程就必須要解決這些問題。

值得注意的是，此前曝光的信息顯示，長鑫存儲已經申請一項名為“半導體存儲器件結構及其制作方法”的發明專利（申請號：201711440259.8）。該發明提供了一種半導體存儲器件結構及其制作方法，用于解決現有技術中動態隨機存儲（DRAM）芯片性能的改善越趨困難的問題。

據介紹，該發明設計的半導體存儲器件的結構中，是將兩條埋入式字線結構分別設置在鍺硅弛豫層填充溝槽內的有源區中，通過這種設計弛豫側壁會對其內的有源區產生應力，以提高溝道內部電子的遷移率，進而提高器件性能。同時在本發明中還巧妙的設計了鍺硅漸變緩沖層及鍺硅弛豫層的鍺硅比例，可以有效提高鍺硅弛豫層的質量，并藉以提高外延硅外延層的生長質量。

可以說，長鑫存儲在繼承了奇夢達的溝槽式DRAM技術的同時，也進行了新的技術創新和改進，有效克服了現有溝槽式DRAM技術中的種種缺點，并且使該DRAM具高度產業利用價值。

其中，長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目是中國大陸第一個投入量產的DRAM設計制造一體化項目，也是安徽省單體投資最大的工業項目，總投資約1500億元；空港集成電路配套產業園，位于基地以西，總投資超過200億元；合肥空港國際小鎮位于基地以北，規劃土地面積9.2平方公里，規劃總建筑面積420萬平方米，總投資約500億元。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的长鑫存储冲击全球第四大DRAM厂商：17nm明年上马的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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