我想大家在夠沒或使用內(nèi)存條的時候可能更為關(guān)注內(nèi)存的容量大小，比如1G的內(nèi)存與2G的內(nèi)存，大家都知道這一點很重要。但是決定內(nèi)存性能的不僅僅只有容量，事實上還有很多的參數(shù)，而本文所要介紹的內(nèi)存延遲就是其中之一。

如果您細心的話應(yīng)該可以在內(nèi)存條的包裝以及內(nèi)存身上的貼紙或者絲印上發(fā)現(xiàn)一排數(shù)字，比如9-9-9-25這樣由4段數(shù)字組成，一些經(jīng)銷商或許也向您提到過內(nèi)存的這一參數(shù)。那么疑問來了：內(nèi)存延遲是什么？對內(nèi)存的性能影響有多大呢？

內(nèi)存延遲定義：表示系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間，它就是由上面提到的那4段數(shù)字來表示：9-9-9-25，沒段數(shù)字代表著不同的含義，其中：

第一個數(shù)字所代表的是內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)所需要的延遲時間（CAS Latency，通常簡稱為CL值）
第二個數(shù)字表示內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間（tRCD）
第三個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間（tRP），也就是內(nèi)存從結(jié)束一個行訪問到重新開始的間隔時間
第四個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時間（tRAS）

當(dāng)然，較小的延遲時間當(dāng)然是一件好事，但是目前內(nèi)存已經(jīng)進入到DDR3時代，速度飆升啊，此時的內(nèi)存延遲對性能的影響已經(jīng)到了可以忽略不計了，很多的相關(guān)測試中一些較低延遲內(nèi)存的成績有時都沒高延遲的出色。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的内存延迟是什么以及对内存性能的影响介绍的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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