【手機(jī)中國(guó)新聞】臺(tái)積電在2nm半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)方面取得重大研究突破，有望在2023年中期進(jìn)入2nm工藝試生產(chǎn)階段，并在一年后開(kāi)始批量生產(chǎn)。目前，臺(tái)積電的最新制造工藝是5nm工藝，已用于生產(chǎn)A14仿生芯片。

　　據(jù)介紹，臺(tái)積電的2nm工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)(MBCFET)晶體管，它是對(duì)先前FinFET設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。值得注意的是，這也是臺(tái)積電第一次將MBCFET設(shè)計(jì)用于其晶體管。臺(tái)積電一位高管對(duì)外表示，“我們樂(lè)觀預(yù)計(jì)2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)收益率將達(dá)到90%，這將有助于我們未來(lái)繼續(xù)贏得蘋(píng)果、匯達(dá)等主要廠商的大訂單”。同時(shí)，他還提到，量產(chǎn)將于2024年開(kāi)始。

　　臺(tái)積電去年成立了2nm項(xiàng)目研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行的發(fā)展路徑。考慮到成本、設(shè)備兼容性、技術(shù)成熟度和性能等條件，2nm采用了基于環(huán)繞門(mén)（GAA）工藝的MBCFET。該結(jié)構(gòu)解決了FinFET工藝收縮引起的電流控制泄漏的物理限制。

總結(jié)

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