麒麟9000：麒麟芯的绝响 华为赋予了它这些期望
北京時間10月22日晚，華為Mate40系列全球線上發布會正式召開，新機首發搭載麒麟9000 5G旗艦SoC。
該芯片首發24核Mali-G78 GPU集群, 是全球唯一5nm 5G SoC，擁有153億晶體管。相信這將成為很多消費者購買華為Mate40系列機型的一大理由。
但遺憾的是，麒麟9000或是華為自研的最后一代智能手機旗艦SoC，華為Mate40系列也就成了最后一代搭載麒麟旗艦芯片的Mate系列手機。
“采用5nm工藝制程，CPU、GPU、NPU性能遙遙領先，而且集成了華為最強大的通信芯片，以及我們最先進的ISP”，華為消費者業務CEO 余承東這樣總結麒麟9000。
工藝制程的進步可以讓相同尺寸的芯片容納更多的晶體管，往往代表著芯片能效比的提升。
此時，手機SoC工藝制程的接力棒正在從7nm向5nm轉移，剛剛隨iPad Air4、iPhone12系列發布的A14仿生是第一款正式發布的5nm手機芯片。
但這款芯片外掛的是高通X55調制解調器，所以并不能算是嚴格意義上的5G SoC。
但與A14仿生不同的是，發展到麒麟9000這一代，華為巴龍5G調制解調器已經越發成熟。
集成在SoC內部的調制解調器在符合以往認知的低功耗低發熱屬性的同時，還在現網測試中獲得了遠遠超過競品的峰值表現。
得益于5nm工藝制程，麒麟9000集成了153億顆晶體管，且比A14仿生多出30%。
8核心CPU，三檔能效架構最高主頻可達3.13GHz，比競品快出10%；
24核心Mali-G78 GPU，行業首發，性能超出競品52%；
NPU采用雙大核+微核架構，AIbenchmark4.0 ETH跑分高達148008分，是競品性能的2.4倍。
同時，相比于競品麒麟9000擁有更好的能效比，其中CPU能效高出25%、GPU能效高出50%、NPU能效高出150%，數字可觀。
“其它廠商不久前才推出第一代的5G旗艦手機，但華為已經推出三代5G手機了”，雖然這樣的描述總有些欺負人的意味，但官方實測數據就是這樣霸道：上行速率是的5倍，下行速率是競品的2倍。
麒麟9000搭載的ISP6.0相比于上代芯片，吞吐量提升50%，視頻降噪效果提升48%。
“我們追求速度，永不止步”，在講述芯片硬參總結和軟件優化過渡時余承東用這樣一句話承上啟下，而這恰恰也是對海思麒麟發展史的貼切概括。
麒麟9000成就了迄今最強大的Mate，也代表了國產智能手機SoC設計的巔峰。
麒麟9000為何是麒麟芯片的絕響，其中原因相信大家都有所耳聞。
今年8月份，余承東在中國信息化百人會2020年峰會無奈宣布，美國對華為的芯片供應禁令已于9月15日生效，此次應用在華為Mate40系列上的麒麟9000 5G SoC將成“絕版”，量非常有限。
麒麟9000芯片到底有多少備貨，目前并沒有明確的官方數據。有媒體報道稱，華為曾向臺積電下單1500萬顆麒麟9000，但由于生產時間有限訂單并未全部完成，最終產量大概在880萬顆左右。
參考華為Mate 30系列出貨量，自去年9月推出，上市60天全球出貨就超過了700萬臺，產業鏈爆料到去年年底出貨量已經突破1200萬臺。為何余承東說“量非常有限”也就不難理解了。
所以麒麟9000芯片不僅是麒麟高端芯片的“絕響”，如果解決不了芯片生產的問題，目前的備貨都有可能撐不起華為Mate40系列的生命周期，更別說其它需要搭載旗艦芯片的手機、平板設備了。
實際上，從麒麟9000的命名上似乎就已經看出了華為的決絕。
此前麒麟高端芯片命名都歸納在“麒麟900”之列，理論上來說麒麟990之后，新芯片的命名應該是“麒麟1000”，甚至早期的曝光命名也是如此。
直接從“麒麟900”到“麒麟9000”，這樣的命名或許有著不一樣的意味——
如果按照預期的命名方式排布，麒麟旗艦芯片可能要依次經歷“麒麟1000”、“麒麟1100”……“麒麟2000”……排到麒麟9000，應該是很多年后的事情。從麒麟990直接跳到麒麟9000，似乎有種一步到位的感覺。
也許在華為看來，如果麒麟旗艦芯在這一代就此止步，那就不妨用一個比較終極的名稱來命名，既囊括了曾經的雄心壯志，又暗含了技術受制于人臥薪嘗膽的鞭策與激勵。
從發布會公布的數據來看，麒麟9000的性能的確已經遠超競品，而這或許也正是華為敢于大跨度命名的根本所在。
在未來不甚明朗的當下，不管是好事多磨還是就此終結，做到最好無論是對自己，還是對市場，都能算是一個問心無愧的交代。
從哪里能看得出麒麟9000在力爭最好？除了性能升級的結果以外，這款芯片的堆料似乎已經達到了瘋狂的地步：GPU核心直接懟到了24顆Mali-G78。
而當前已經能玩轉大型游戲的天璣1000+是9核心的Mali-G77 GPU。這也正是麒麟9000的圖形處理能力超出主流競品52%的原因所在。
在中國信息化百人會2020年峰會上余承東曾這樣表述：在芯片領域華為探索了十幾年。
從嚴重落后到比較落后，到有點落后，到逐步趕上來，到領先，到現在被封殺，我們有非常巨大的投入，也經歷了艱難的過程。
但很遺憾我們在半導體制造方面，在重資產投入的領域華為沒有參與，導致華為領先的芯片都無法制造。”
正如余承東所言，華為的確在芯片方面做出過巨大的投入，也的確做到了領先地位。
早在2004年，現在的華為海思總裁何庭波就收到了任正非下達的一條“嚇人”命令：“我給你四億美金每年的研發費用，給你兩萬人。一定要站立起來，適當減少對美國的依賴。”
時至今日，海思半導體實際上已經成為中國自主芯片設計的代表，其涉及領域包含SoC芯片、5G通訊芯片、AI芯片、服務器芯片、其他專用芯片五大類，其中就包含我們熟知的手機SoC麒麟芯片。
華為在芯片方面的努力的確讓它度過了去年ARM停止和華為及其附屬公司的所有業務往來的難關，其相關核心技術的掌握和完整知識產權讓華為具備了自主研發ARM處理器的能力，不受外界制約。
那么，為何這次封殺華為就無法度過呢？
原因在于華為擅長的是芯片設計，而不是芯片制造。
半導體是一個非常龐大的產業，目前只有極少數的芯片巨頭掌握從設計、制造、封裝、測試的整個鏈條，因為僅其中的一個環節就需要龐大資金投入和時間投入，比如生產芯片必備的光刻機。
主要生產廠商荷蘭ASML的成功就是西方世界無數寡頭和財團用經費鼎力支持燒出來的，更別說整個鏈條的消耗，分工合作也就成了自然而然的事情。
實際上除了三星，目前手機廠商基本都不具備芯片制造的能力，除了華為，我們熟知的高通、蘋果也都是擅長于芯片的設計，后大多交由當前的芯片生產巨頭臺積電去生產。
但問題在于，其美國技術占比很高，14nm和7nm工藝美國技術占比就在15%以上。在美國芯片禁令下，臺積電并沒有自由選擇客戶的主動權，這也正是華為被封殺后臺積電不能為其生產芯片的原因。
那么，我國就沒有一家擁有自主知識產權，并且能為華為生產芯片的芯片制造商嗎？還真沒有。
有消息稱，如果完全不用美國的技術，國內能夠獨立自主制造28nm光刻機，同時也具備28nm至14nm工藝芯片制造能力。但顯然有這些還不夠，當前主流芯片已經進入5nm的階段。
好在自芯片禁令爆發之后，我國的芯片制造業的發展并非一潭死水，而是呈現出一片欣欣向榮的態勢。
雖然市場的空缺也引發了不良投機者的圈錢騙補，但總歸有行業擔當讓我們看到了希望。
比如芯動科技近日宣布其已經完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過。
據悉，中芯國際FinFET N+1工藝在功率和穩定性方面與7nm工藝相近，相比于14nm性能提升20%，功耗降低57%。
雖然還沒有達到業界公認的35%性能提升，但總歸是實現了類7nm工藝的生產。當然，后續的FinFET N+2工藝性能會有所提升，未來可期。
所以芯片禁令也并非完全是件壞事，它至少為我國半導體事業的發展敲響了警鐘。
當然芯片制造的發展也并非是想做就能一蹴而就的，它需要持續的重資本投入和時間的驗證。至于何時能趕上國際一流水平，“讓子彈飛一會兒”吧。
“對于華為來說，不管處境多么艱難，我們都承諾持續展開技術創新，將最佳的技術和創新帶給消費者，提升人們的生活，提升大家的工作效率。
我們將信守承諾。”面對逆勢的大環境，余承東在發布會末尾這樣回應。而麒麟9000，以及搭載它的華為Mate40系列，無疑是對這份承諾的最佳兌現。
也許麒麟9000會成絕響，但進取的心不會。
總結
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