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75倍能效提升!我国存储重大突破 最强存算一体芯片研制成功:美韩厂商侧目

發布時間:2023/11/23 MAC 35 博士
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 75倍能效提升!我国存储重大突破 最强存算一体芯片研制成功:美韩厂商侧目 小編覺得挺不錯的,現在分享給大家,幫大家做個參考.

10月12日消息,我國存儲芯片上又有了新的大突破,而且是全球領先。

清華大學集成電路學院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式,研制出全球首顆全系統集成的、支持高效片上學習(機器學習能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片。

在支持片上學習的憶阻器存算一體芯片領域取得重大突破,有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設備等領域發展。相關成果在線發表于最新一期的《科學》雜志。

記憶電阻器(Memristor,憶阻器),是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后,仍能“記憶”通過的電荷,被當做新型納米電子突觸器件。

存算一體架構徹底消除了數據在邏輯處理器與存儲芯片之間的搬遷問題,減少能量消耗及延遲,在邊緣計算和云計算中有廣泛的應用前景。

相同任務下,該芯片實現片上學習的能耗僅為先進工藝下專用集成電路(ASIC)系統的1/35,同時有望實現75倍的能效提升。

總結

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