三星积极推进第五代HBM3e:传输速度高达1.228 TB/s
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三星积极推进第五代HBM3e:传输速度高达1.228 TB/s
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南趣百科網(wǎng)10月19日消息,三星目前正在加快開發(fā)第五代HBM3e“Shinebolt”。
經(jīng)初步測(cè)試,“Shinebolt”的最大數(shù)據(jù)傳輸速度將比上一代有所提升,預(yù)計(jì)將達(dá)到1.228TB/s,比SK海力士的HBM3e(最大數(shù)據(jù)傳輸速度為1.15TB/s)更快。
同時(shí)“Shinebolt”還采用了最新的12層垂直堆疊方案,能夠在單個(gè)HBM3e封裝上實(shí)現(xiàn)高達(dá)36GB的容量,而原型版本使用的8層堆疊方案僅實(shí)現(xiàn)了24GB的容量。
據(jù)悉,HBM(High Bandwidth Memory)屬于垂直連接多個(gè)DRAM,與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。
HBM DRAM產(chǎn)品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā),其中HBM3e是HBM3的擴(kuò)展(Extended)版本。HBM被認(rèn)為是人工智能時(shí)代的新一代DRAM。
總結(jié)
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