Intel正在積極推進“四年五個制程節(jié)點”計劃，將在2024-2025年搞定20A、18A工藝，分別相當(dāng)于2nm、1.8nm，尤其后者預(yù)計會反超臺積電，重奪領(lǐng)先。

對此，臺積電自然不會坐視不理，對自己的技術(shù)也非常自信。

臺積電總裁魏哲家聲稱，根據(jù)內(nèi)部評估，臺積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A，而且更早推出、更成熟、更省成本。

他還強調(diào)，臺積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進，2025年推出的時候?qū)⒊蔀樽钕冗M的制程工藝。

Intel 20A/18A將會引入全環(huán)繞柵極晶體管RibbonFET，以及背部供電PowerVia。

臺積電的N3/N3E/N3P/N3X 3nm系列則依然是傳統(tǒng)的FinFET晶體管，2nm工藝上才會上馬GAA全環(huán)繞晶體管。

其中，N2版本計劃2025年下半年量產(chǎn)，N2P版本計劃2026年底量產(chǎn)。

在過去的第三季度，5nm工藝為臺積電貢獻了37％的收入，遙遙領(lǐng)先其他節(jié)點，其次是7nm 16％、28nm 10％、16nm 9％。

3nm在這個季度第一次為臺積電創(chuàng)收，就帶來了約10.3億美元(感謝蘋果)。

相比之下，5nm工藝在2020年第三季度首次商用取得收入約9.7億美元，占比約8％。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的台积电豪言：我们的3nm就能打败Intel 1.8nm！的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。