台积电豪言:我们的3nm就能打败Intel 1.8nm!
Intel正在積極推進“四年五個制程節(jié)點”計劃,將在2024-2025年搞定20A、18A工藝,分別相當(dāng)于2nm、1.8nm,尤其后者預(yù)計會反超臺積電,重奪領(lǐng)先。
對此,臺積電自然不會坐視不理,對自己的技術(shù)也非常自信。
臺積電總裁魏哲家聲稱,根據(jù)內(nèi)部評估,臺積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A,而且更早推出、更成熟、更省成本。
他還強調(diào),臺積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進,2025年推出的時候?qū)⒊蔀樽钕冗M的制程工藝。
Intel 20A/18A將會引入全環(huán)繞柵極晶體管RibbonFET,以及背部供電PowerVia。
臺積電的N3/N3E/N3P/N3X 3nm系列則依然是傳統(tǒng)的FinFET晶體管,2nm工藝上才會上馬GAA全環(huán)繞晶體管。
其中,N2版本計劃2025年下半年量產(chǎn),N2P版本計劃2026年底量產(chǎn)。
在過去的第三季度,5nm工藝為臺積電貢獻了37%的收入,遙遙領(lǐng)先其他節(jié)點,其次是7nm 16%、28nm 10%、16nm 9%。
3nm在這個季度第一次為臺積電創(chuàng)收,就帶來了約10.3億美元(感謝蘋果)。
相比之下,5nm工藝在2020年第三季度首次商用取得收入約9.7億美元,占比約8%。
總結(jié)
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