10月30日消息，據彭博社報道，近日“浸沒式光刻之父”、晶圓代工大廠臺積電前研發副總林本堅(Burn J. Lin)在接受采訪時罕見地表示，美國無法阻止中國大陸公司在先進制程芯片技術方面取得進步，并表示中國應該能夠利用現有設備繼續推進到下一代的5nm制程工藝。

報道稱，華為新推出全新基于國產先進制程工藝的麒麟處理器震驚了美國，證明了中國廠商可以使用現有的舊機器制造更復雜的芯片。

林本堅表示，中國在芯片技術方面已經獲得突破，打破了美國旨在遏制其技術進步的限制 。“美國不可能完全阻止中國改進其芯片技術。”相信中國目前已經擁有設備能夠繼續將制程工藝推進到5nm制程。

對于美國近期又升級了半導體出口限制，林本堅表示，盡管美國通過制裁施加技術限制，中國廠商通過開發第二代7納米級制造工藝，展現了顯著的韌性和獨創性。它還實現了足夠高的產量，足以讓華為制定供應 7000 萬部智能手機的計劃。

據稱，中國最新的先進制程工藝使用了荷蘭ASML 的 Twinscan NXT:2000i 系列光刻工具，這是一種深紫外 (DUV) 光刻設備，可以生產采用 7nm 和 5 nm 級工藝技術的芯片。

Twinscan NXT:2000i 的分辨率（≤38nm）足以滿足 7nm 級單圖案光刻批量生產的需要。但今年早些時候，荷蘭政府限制了該工具繼續向中國的出口 。

另外，當涉及到5nm級工藝技術時，需要更精細的分辨率。

為了生產它，芯片制造商可以使用Twinscan NXT:2000i 來做雙重、三重甚至四重圖案化，這是一種更為復雜的光刻技術，涉及將一個圖案分成幾個圖案，然后按順序印刷這些圖案，以在半導體制造中實現更高的精度和細節。多重圖案化的使用是一個棘手的過程，會影響產量以及每個晶圓上可使用的芯片數量，因此通常由于經濟原因其使用受到限制。

但受限于其已有的工具，中國芯片制造廠商別無選擇，只能使用多重圖案化來獲得更精細的分辨率。顯然，它已經達到了華為可以接受的良率。由此可見，美國政府對限制策略并沒有多少效果。

林本堅指出：“美國真正應該做的是專注于保持其芯片設計領先地位，而不是試圖限制中國的進步，這是徒勞的，并且會損害全球經濟。因為中國正在采取舉國戰略來發展其芯片產業。”

總結

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