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兆易创新公布自研内存进展:首发4Gb DDR3、明年上半年问世

發布時間:2023/11/24 综合教程 45 生活家
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 兆易创新公布自研内存进展:首发4Gb DDR3、明年上半年问世 小編覺得挺不錯的,現在分享給大家,幫大家做個參考.

2019年國內的合肥長鑫推出了國產DDR4內存,結束了國內沒有DRAM芯片自產的日子,此后也有其他公司準備進軍內存市場,比如兆易創新。該公司日前透露了其內存計劃,2021年上半年將推出4Gb DDR3內存。

兆易創新在電話會議中透露,自研DRAM現在還在按照原計劃進行,目前研發進度跟預期基本一樣,預期明年上半年會有產品出來。

兆易創新表示,自研第一個產品會是DDR3, 4Gb,面向利基市場。

2021年還在研發DDR3內存?別急,雖然明年DDR3內存已經不是什么新東西了,DDR5都要上市了,但DDR3還不會被淘汰,而且兆易創新主要是用于利基市場,也就是消費電子產品,對內存的性能、容量等要求不高。

考慮到兆易創新的主力產品,比如NOR閃存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消費電子等市場的,其首款內存主打這一市場也不讓人意外。

即便是DDR3內存,對任何沒有內存研發、設計經驗的公司來說,技術門檻還是很高的,兆易創新選擇看似落后但比較穩妥的研發路線也沒什么可說的。

去年底,這點錢并不算多,所以研發DDR3內存情有可原。

他們還公布了內存研發的路線圖,如下所示:

·2020年,兆易創新將啟動首款DRAM芯片產品定義,包括市場定位、產品規格及芯片設計工藝。

·2020年,兆易創新將定義首款芯片的生產職稱,并將經過驗證后的設計開展流片試樣,反復修改直至通過系統驗證。

·2021年,對首款芯片試樣進行封裝測試,并送交系統芯片商進行功能認證,并最終通過客戶驗證。

·2021年,首款芯片通過驗證之后進行小批量生產,測試成功后進行大批量生產。

·2022-2025年,進行新系列芯片研發及量產。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的兆易创新公布自研内存进展:首发4Gb DDR3、明年上半年问世的全部內容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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