（）臺積電表示其部署的極紫外光(EUV)光刻工具已占全球安裝和運行總量的50%左右，這意味著其使用的EUV機器數量超過了業內其他任何一家公司。

目前，臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機在其N7+以及N5節點上制造芯片，但在未來幾個季度，該公司將增加N6（實際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。臺積電對EUV工具的需求正在增加是因為其技術越來越復雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少制造高度復雜的電路時多圖案技術的使用。

根據ASML的官方數據，2018年至2019年，每月產能約4.5萬片晶圓（WSPM），一個EUV層需要一臺Twinscan NXE光刻機。隨著工具生產效率的提高，WSPM的數量也在增長。如果要為一個準備使用N3或更先進節點制造工藝的GigaFab（產能高于每月10萬片）配備設備，臺積電在該晶圓廠至少需要40臺EUV光刻設備。

ASML最新推出的Twinscan NXE:3400B和NXE:3400C光刻系統價格相當昂貴。早在10月份，ASML就透露，其訂單中的4套EUV系統價值5.95億歐元(約合7.03億美元)，因此單臺設備的成本可能高達1.4875億歐元(1.7575億美元)。也就是說，13套EUV設備可能要花費臺積電高達22.84億美元。

但在EUV工具方面，錢并不是唯一的考慮因素。ASML是唯一生產和安裝EUV光刻機的公司，它的生產和安裝能力相對有限。在對其生產工藝進行調整后，該公司認為可以將單臺機器的周期縮減到20周，這樣一來，每年的產能將達到45到50套系統。

今年的前三季度，ASML已經出貨了23臺EUV光刻機，預計全年銷售量比2020年原計劃的35臺少一點。截至目前，ASML已累計出貨83臺商用EUV光刻機（其中包括2015年第一季度至2020年第三季度銷售的NXE:3350B、NXE:3400B和NXE:3400C）。

臺積電當然不是唯一采購大量EUV光刻機的半導體制造商。三星目前只使用EUV工藝來生產其7LPP和5LPE SoC以及一些DRAM，但隨著三星晶圓廠擴大EUVL工藝在生產上的應用，三星半導體也提高了基于EUV工藝的DRAM的生產，最終將不可避免地采購更多的Twinscan NXE光刻機。預計英特爾也將在2022年開始使用其7nm節點生產芯片時，將開始部署EUVL設備，很可能在未來幾年成為EUVL設備的主要采用者之一。

未來幾年全球對EUV光刻機的需求只會增加，但從目前的情況來看，在未來一段時間內，臺積電仍將是這些光刻設備的主要采購者，三星和英特爾將緊隨其后。

總結

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