我国第三代半导体将全面爆发:5G/新能源车推动国产化替代
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我国第三代半导体将全面爆发:5G/新能源车推动国产化替代
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隨著5G、新能源車的快速發(fā)展,我國(guó)第三代半導(dǎo)體也正面全面爆發(fā)。
市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大,5G加速推進(jìn)GaN射頻應(yīng)用迅猛增長(zhǎng),2020年中國(guó)GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約170億元;新能源汽車及消費(fèi)電子成為突破口,2020年中國(guó)電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模58.2億元。
需要注意的是,氮化鎵的應(yīng)用范圍不只在快充、智能手機(jī)等消費(fèi)類電子領(lǐng)域,還有數(shù)據(jù)中心、柔性供電等工業(yè)領(lǐng)域,以及自動(dòng)駕駛、車載充電機(jī)等汽車領(lǐng)域。如,低壓氮化鎵可應(yīng)用于新一代大數(shù)據(jù)中心,以減少占地、提高功率、降低能耗。
第三代半導(dǎo)體另一個(gè)重要產(chǎn)品碳化硅,則將受益于電動(dòng)汽車行業(yè)的快速成長(zhǎng)而迎來(lái)爆發(fā)機(jī)會(huì)。
總結(jié)
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