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台积电宣布2023年投产3nm Plus工艺:苹果首发

發(fā)布時(shí)間:2023/11/24 综合教程 31 生活家
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臺(tái)積電在新工藝方面真是猶如一頭猛獸,無(wú)可阻擋(當(dāng)然取消優(yōu)惠也攔不住),今年已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝,而

今天,臺(tái)積電又宣布,將會(huì)在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版,命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶(hù)是蘋(píng)果。

如果蘋(píng)果繼續(xù)一年一代芯片,那么到2023年使用3nm Plus工藝的,將會(huì)是“A17”。

按照臺(tái)積電的說(shuō)法,3nm工藝相比于5nm可帶來(lái)最多70%的晶體管密度增加,或者最多15%的性能提升,或者最多30%的功耗降低。

此外,,預(yù)計(jì)有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2024年投入量產(chǎn),同時(shí)繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝。

臺(tái)積電在3nm工藝上將延續(xù)FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管),2nm上則會(huì)首次引入全新的MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管),也就是納米片(nanosheet),可視為從二維到三維的跨越,能夠大大改進(jìn)電路控制,降低漏電率。

總結(jié)

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