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瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次

發(fā)布時(shí)間:2023/11/24 综合教程 35 生活家
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次 小編覺得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.

近日,瑞芯微發(fā)布了兩顆全新的通用快充協(xié)議芯片,分別是RK835、RK837。

內(nèi)部集成ARM Cortex-M0內(nèi)核、60KB Flash、1KB RAM,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)PD和其他專有快充協(xié)議的支持,可以承受10萬(wàn)次以上的重復(fù)燒錄。

它可用于電源角色的USB Type-C和PD物理層,并支持E-Marker線纜供電,超低功耗模式下耗電量低于10μA。

- 內(nèi)部集成ADC,可連續(xù)檢測(cè)電壓、電流、溫度,以及通過GPIO引腳反饋的系統(tǒng)參數(shù)

- 所有的GPIO均可配置成邊緣觸發(fā)中斷,DP/DM引腳可配置UART模式和BC1.2模式

- 支持I2C接口和主從模式,集成輸出放電功能

- DP/DM/CC1/CC2引腳均支持24V耐壓,可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞,并內(nèi)置過流、過壓、過熱保護(hù)


RK835+AC-DC典型應(yīng)用電路

RK837除了通過PD2.0/PD3.0/PPS認(rèn)證(TID 5141),還通過了高通QC4+認(rèn)證,證書編號(hào)20210303222。

- 支持USB Type-C和Type-A雙接口,支持I2C接口

- 集成NMOS驅(qū)動(dòng),VBUS開關(guān)管可使用低成本性能好的NMOS,內(nèi)部集成快速放電電路

- 內(nèi)部集成高精度ADC,可實(shí)現(xiàn)3-22V以10mV精度輸出,使用5mΩ取樣電阻,可實(shí)現(xiàn)0.1-12A以12mA精度恒流

- DP/DM/CC1/CC2引腳均支持26V耐壓,可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞,并內(nèi)置過流、過壓、過熱保護(hù)


RK837應(yīng)用電路

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的瑞芯微发布全新通用快充芯片:最高100W、可重复烧录10万次的全部?jī)?nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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