自從閃存進入3D時代，堆棧層數(shù)猶如摩天大樓一樣越來越高，從最初的24/32層一路堆到了現(xiàn)在的128層甚至176層。三星下一代的第八代V-NAND閃存有望超過200層，未來還可以做到1000層。

目前全球半導體芯片產(chǎn)能緊張，NAND閃存本身也是牛市周期，三星準備借此機會擴大生產(chǎn)規(guī)模，現(xiàn)在韓國平澤市的存儲芯片工廠已經(jīng)是全球最大的，三星計劃建設第二座平澤工廠。

在閃存技術上，三星的128層V-NAND閃存已經(jīng)量產(chǎn)，2021年下半年則會量產(chǎn)第7代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)提升到176層。

在“蓋樓”層數(shù)上，三星實際上已經(jīng)落后于美光，后者在去年底就推出了176層3D閃存，并且量產(chǎn)了，三星現(xiàn)在要奮起直追了。

超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)有望超過200層，不過三星沒公布具體情況，預計要到明年下半年才有可能量產(chǎn)。

至于未來的層數(shù)還能堆多高，早前有消息稱超過500層的話就會遇到難以克服的瓶頸，是當前3D堆棧的極限了，但三星的目標是希望超過1000層，這個就需要很多技術突破了。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND将突破200层：未来可达1000层的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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