8月19日消息，盛美半導體設備近日公布的邊緣濕法刻蝕設備，進一步拓寬了盛美濕法設備的覆蓋面。

該新設備使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質、金屬和有機材料薄膜，以及顆粒污染物。這種方法最大限度地減少了邊緣污染對后續(xù)工藝步驟的影響，提高了芯片制造的良率，同時整合背面晶圓清洗的功能，進一步優(yōu)化了工藝和產(chǎn)品結構。

盛美半導體設備董事長王暉表示：“在IC制造工藝里，特別是在3D NAND、DRAM和先進邏輯器件工藝中，晶圓邊緣剝離、雜質顆粒和殘留物會導致晶圓邊緣良率降低，現(xiàn)在這個問題的解決對于優(yōu)化整體工藝良率變得越來越重要。

我們開發(fā)的邊緣濕法刻蝕清洗設備可有效解決這種邊緣良率降低的問題，這款新產(chǎn)品也把盛美在濕法工藝的專業(yè)技術拓展到邊緣刻蝕應用領域。

與干法相比，該產(chǎn)品不僅具備明顯的性能優(yōu)勢，而且可以顯著減少化學品的用量。更值得一提的是，盛美獨創(chuàng)的專利技術可做到更精準高效的晶圓對準，以實現(xiàn)精準邊緣刻蝕，從而提高良率及產(chǎn)能。”

盛美的邊緣刻蝕產(chǎn)品支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和先進邏輯工藝。

一直以來，制造商都是使用干法刻蝕工藝來解決邊緣薄膜和污染物去除的問題。

濕法刻蝕區(qū)別于干法工藝，它避免了產(chǎn)生電弧和硅損傷的風險，同時還能通過 1-7 毫米可變的晶圓邊緣薄膜刻蝕/切割精度、良好的均勻性、可控的刻蝕選擇性和較低的化學品消耗量，來降低總體擁有成本。

盛美首臺用于量產(chǎn)的邊緣刻蝕產(chǎn)品將于2021年第三季度交付給一家中國的邏輯器件制造商。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的盛美发布边缘湿法刻蚀设备：支持3D NAND、DRAM和先进逻辑制造工艺的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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