上周有報(bào)道稱，三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長Jeong Eun-seung在一場網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者臺(tái)積電之前，宣布GAA技術(shù)商業(yè)化。

當(dāng)時(shí)他曾放下狠話稱：“我們開發(fā)中的GAA技術(shù)，領(lǐng)先主要競爭者臺(tái)積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù)，我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”

但是根據(jù)最新報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士表示三星目前的3nm GAA工藝依然面臨著漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，且在性能和成本方面可能也存在一些問題，或許將依然不敵臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

據(jù)此前消息，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

不過，上述人士透露，三星可能最早于2022年將其3nm GAA工藝量產(chǎn)，但由于成本高和性能不理想，可能無法吸引到臺(tái)積電3nm FinFET工藝所獲得的客戶，同時(shí)他還稱臺(tái)積電目前已經(jīng)提前拿到了蘋果和英特爾的訂單。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的号称功耗降一半！曝三星3nm GAA存漏电等缺陷：难敌台积电的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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