年底下一代旗艦手機(jī)芯片要開(kāi)始陸續(xù)發(fā)布了，高通這邊有驍龍898，聯(lián)發(fā)科近期大熱的天璣下一代旗艦規(guī)格也很頂。

根據(jù)數(shù)碼大V@肥威和@數(shù)碼閑聊站的爆料，下一代安卓旗艦芯片的樣品測(cè)試跑分超過(guò)了100萬(wàn)，極有可能指的就是驍龍898或者聯(lián)發(fā)科那顆4納米的天璣旗艦，也就意味著下一代旗艦芯片的性能至少有20%的提升。

回顧2021年，安卓陣營(yíng)旗艦芯片因?yàn)榘l(fā)熱而翻車的例子不少，所以對(duì)于下一代旗艦芯片，用戶關(guān)心的不僅僅是性能，還有發(fā)熱和續(xù)航表現(xiàn)。

@肥威也有相似的觀點(diǎn)，表示100萬(wàn)跑分不稀奇，重點(diǎn)是看功耗。

對(duì)于驍龍898及天璣下一代旗艦來(lái)說(shuō)，前者會(huì)使用三星的4納米工藝，后者則是臺(tái)積電的4納米工藝。

雖然都是4納米，但從過(guò)往的情況來(lái)看，臺(tái)積電的4納米顯然更穩(wěn)，因此行業(yè)普遍認(rèn)為聯(lián)發(fā)科的這顆4納米天璣芯片的“底子”更好。

此前業(yè)內(nèi)有消息稱，聯(lián)發(fā)科下一代天璣旗艦會(huì)采用Arm最新的Armv9架構(gòu)，如果真是這樣，那么Armv9和臺(tái)積電4納米對(duì)“能耗比（性能/功耗）”來(lái)說(shuō)絕對(duì)是利好因素。

在明年旗艦普遍都達(dá)到100萬(wàn)分的水準(zhǔn)之下，功耗將徹底走到臺(tái)前，聯(lián)發(fā)科下一代天璣旗艦的先天條件穩(wěn)贏驍龍898，明年的旗艦誰(shuí)主沉浮？還需要往后邊看邊聊。

總結(jié)

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