在昨日（10月14日）業績會上公布三季度財報后，臺積電還透露了先進制程的最新進展。

“E”的后綴說實話比較新鮮，畢竟7nm增強版、5nm增強版都是用“P”做后綴，不知道E代表底氣更足還是更差了，謹慎猜測是后者。

按照此前披露的信息，第一代3nm（N3）的功耗將比5nm降低25~30%，性能提升10~15%，晶體管密度提升70%。縱向對比的話，弱于5nm之于7nm的變化，坦率來說，有些讓人失望。

另外，針對部分特定需求客戶，臺積電還有4nm在準備，它可以視為5nm的改良版，晶體管密度提升6%，同時制造流程簡化，換言之，良率會更高。

在微觀層面，臺積電的3nm仍舊是FinFET晶體管結構，這預計也是FinFET的謝幕之作。Intel、三星、臺積電都將悉數向GAA（環繞柵極）晶體管過渡，其中Intel稱之為RibbonFET，擁有獨家的PowerVia背面電路技術。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的台积电3nm规划两代：明后年分别投产！性能最高提升15%的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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