在昨日（10月14日）業(yè)績(jī)會(huì)上公布三季度財(cái)報(bào)后，臺(tái)積電還透露了先進(jìn)制程的最新進(jìn)展。

“E”的后綴說(shuō)實(shí)話比較新鮮，畢竟7nm增強(qiáng)版、5nm增強(qiáng)版都是用“P”做后綴，不知道E代表底氣更足還是更差了，謹(jǐn)慎猜測(cè)是后者。

按照此前披露的信息，第一代3nm（N3）的功耗將比5nm降低25~30%，性能提升10~15%，晶體管密度提升70%。縱向?qū)Ρ鹊脑挘跤?nm之于7nm的變化，坦率來(lái)說(shuō)，有些讓人失望。

另外，針對(duì)部分特定需求客戶(hù)，臺(tái)積電還有4nm在準(zhǔn)備，它可以視為5nm的改良版，晶體管密度提升6%，同時(shí)制造流程簡(jiǎn)化，換言之，良率會(huì)更高。

在微觀層面，臺(tái)積電的3nm仍舊是FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，這預(yù)計(jì)也是FinFET的謝幕之作。Intel、三星、臺(tái)積電都將悉數(shù)向GAA（環(huán)繞柵極）晶體管過(guò)渡，其中Intel稱(chēng)之為RibbonFET，擁有獨(dú)家的PowerVia背面電路技術(shù)。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的台积电3nm规划两代：明后年分别投产！性能最高提升15%的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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